| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| ·SOI技术的主要优点和面临的挑战 | 第11-15页 |
| ·SOI的发展历程 | 第11-12页 |
| ·SOI材料制备技术 | 第12页 |
| ·基于SOI技术的MOSFET的结构 | 第12-14页 |
| ·SOI的主要优点 | 第14-15页 |
| ·MOSFET/SOI器件的总剂量辐照效应 | 第15-22页 |
| ·SOI器件总剂量辐射效应机理 | 第15-18页 |
| ·氧化绝缘埋层 | 第18-19页 |
| ·PD器件的泄漏电流 | 第19-20页 |
| ·FD器件的耦合效应 | 第20页 |
| ·偏置依赖关系 | 第20-21页 |
| ·SOI抗总剂量辐照加固 | 第21-22页 |
| ·SOI技术的国外最新研究进展 | 第22-26页 |
| ·国际进展 | 第22-24页 |
| ·国内进展 | 第24-26页 |
| ·本论文的意义和主要内容 | 第26-28页 |
| 第二章 SIMOX中注Si形成的纳米晶的研究进展 | 第28-42页 |
| ·纳米晶硅的形成和表征 | 第28-30页 |
| ·纳米晶硅的形成与注入参量的关系 | 第28页 |
| ·注入形成的缺陷表征 | 第28-30页 |
| ·注入形成纳米晶硅在抗辐照加固中的作用机理综述 | 第30-38页 |
| ·产生电子陷阱补偿空穴俘获 | 第30-31页 |
| ·减少空穴/质子在界面处的俘获,减小对平带/阈值电压的影响(实验) | 第31-35页 |
| ·减少空穴/质子在界面处的俘获,减小对平带/阈值电压的影响(理论分析) | 第35-38页 |
| ·纳米晶硅抗辐照加固、存储器和光电子方面的应用 | 第38-42页 |
| ·进一步增强SOI的抗辐照能力 | 第38-39页 |
| ·含纳米晶硅的MOS结构应用于存储器件 | 第39-41页 |
| ·含纳米晶硅的SiO_2结构在光电子方面的应用 | 第41-42页 |
| 第三章 热氧化SiO_2中注入产生纳米晶硅的光致发光谱研究 | 第42-56页 |
| ·引言 | 第42-46页 |
| ·硅纳米晶光致发光的原理 | 第42-43页 |
| ·SiO_2中Si纳米晶的PL和结构的关系 | 第43-46页 |
| ·通过PL研究SiO_2中注入产生的Si纳米晶减少氧化物空穴陷阱的机理 | 第46页 |
| ·光致发光谱(PL)实验 | 第46-49页 |
| ·氧化片的准备 | 第46-47页 |
| ·原子力显微镜观测 | 第47-48页 |
| ·PL实验 | 第48-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-55页 |
| ·PL谱与注入离子种类的关系 | 第49-51页 |
| ·PL谱与硅离子注入剂量的关系 | 第51-52页 |
| ·PL谱与硅离子注入能量的关系 | 第52页 |
| ·PL谱与退火时间的关系 | 第52-53页 |
| ·PL谱与退火温度的关系 | 第53-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第四章 热氧化SiO_2中注入产生纳米晶硅的其他研究 | 第56-68页 |
| ·引言 | 第56-59页 |
| ·物理研究方法 | 第56-57页 |
| ·物理研究进展 | 第57-59页 |
| ·实验 | 第59-60页 |
| ·XPS的实验 | 第59页 |
| ·FTIR的实验 | 第59页 |
| ·ESR的实验 | 第59-60页 |
| ·XPS的实验结果与讨论 | 第60-62页 |
| ·XPS谱与硅离子注入剂量的关系 | 第60-61页 |
| ·XPS谱与退火时间的关系 | 第61-62页 |
| ·XPS谱与退火温度的关系 | 第62页 |
| ·FTIR的实验结果与讨论 | 第62-63页 |
| ·ESR的实验结果与讨论 | 第63-66页 |
| ·热氧化片的辐照实验分析 | 第66-67页 |
| ·小结 | 第67-68页 |
| 第五章 离子注入形成的纳米硅在NMOS/SOI抗辐照加固中的应用 | 第68-94页 |
| ·引言 | 第68-69页 |
| ·X-射线总剂量辐照实验 | 第69-72页 |
| ·SOI片的辐照前处理 | 第69页 |
| ·SOI/NMOSFET器件结构的选择 | 第69-71页 |
| ·X-射线总剂量辐照实验 | 第71-72页 |
| ·背栅特性 | 第72-81页 |
| ·环栅结构的背栅特性 | 第72-75页 |
| ·H型栅结构的背栅特性 | 第75-77页 |
| ·背栅特性曲线的拟合 | 第77-79页 |
| ·其他栅结构的背栅特性 | 第79-81页 |
| ·正栅特性 | 第81-87页 |
| ·环栅结构的正栅特性 | 第81-84页 |
| ·H型栅结构的正栅特性 | 第84-86页 |
| ·其他栅结构的正栅特性 | 第86-87页 |
| ·氧化物电荷和界面态与总剂量辐照的关系 | 第87-90页 |
| ·H型栅结构的氧化物电荷、界面态的分析 | 第87-89页 |
| ·环栅结构的氧化物电荷、界面态的分析 | 第89-90页 |
| ·Co-60γ射线总剂量辐照实验和结果讨论 | 第90-93页 |
| ·小结 | 第93-94页 |
| 第六章 Pseudo-MOS方法研究离子注入加固SIMOX材料的总剂量辐照效应 | 第94-100页 |
| ·原理 | 第94-95页 |
| ·实验 | 第95-96页 |
| ·结果与讨论 | 第96-99页 |
| ·小结 | 第99-100页 |
| 第七章 SOI器件的总剂量辐照效应模拟研究 | 第100-103页 |
| ·电荷俘获模型的建立 | 第100-101页 |
| ·MEDICI模拟 | 第101-102页 |
| ·小结 | 第102-103页 |
| 第八章 结论 | 第103-106页 |
| ·全文结论 | 第103-104页 |
| ·主要创新点 | 第104页 |
| ·今后研究的展望和建议 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-113页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第113-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 个人简历 | 第116-117页 |
