| 第一章 序言 | 第1-11页 |
| ·半导体科学与技术的发展 | 第7页 |
| ·硅材料与硅表面 | 第7-11页 |
| 第二章 理论与方法 | 第11-25页 |
| ·计算机模拟的方法和商业计算软件简介 | 第11-16页 |
| ·第一性原理方法 | 第12-16页 |
| ·商业计算软件简介 | 第16页 |
| ·紧束缚近似方法 | 第16-19页 |
| ·能量最小化的实现 | 第19-20页 |
| ·基本模型与参数 | 第20-23页 |
| ·其他一些相关理论 | 第23-25页 |
| 第三章 SiH_2在Si(100)表面单空位中的吸附结构 | 第25-31页 |
| ·SiH_2在Si(100)表面吸附结构的背景 | 第25-26页 |
| ·SiH_2在Si(100)表面单空位中的吸附结构 | 第26-30页 |
| ·计算模型 | 第26页 |
| ·结果与讨论 | 第26-30页 |
| ·结论 | 第30-31页 |
| 第四章 0.5ML H-terminated Si(100)表面的结构 | 第31-38页 |
| ·H-terminated Si(100)表面结构的背景 | 第31页 |
| ·0.5ML H-terminated Si(100)表面的结构 | 第31-37页 |
| ·计算模型 | 第31-32页 |
| ·结果与讨论 | 第32-37页 |
| ·结论 | 第37-38页 |
| 第五章 硅原子在H-terminated Si(100)表面的吸附和扩散 | 第38-46页 |
| ·硅原子在H-terminated Si(100)表面的吸附和扩散的背景 | 第38页 |
| ·硅原子在H-terminated Si(100)表面的吸附和扩散的行为 | 第38-45页 |
| ·计算模型 | 第38-40页 |
| ·结果与讨论 | 第40-45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 第六章 硅原子在H-terminated Si(100)表面单空位附近的吸附和扩散 | 第46-53页 |
| ·H-terminated Si(100)表面单空位的引入 | 第46-47页 |
| ·硅原子在H-terminated Si(100)表面单空位附近的吸附和扩散行为 | 第47-52页 |
| ·计算模型 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-52页 |
| ·结论 | 第52-53页 |
| 第七章 总结与展望 | 第53-54页 |
| 图表目录 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 中文详细摘要 | 第60-62页 |
