| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·主流平板显示器 | 第8-13页 |
| ·液晶显示 | 第8-10页 |
| ·等离子体显示 | 第10-11页 |
| ·电致发光显示 | 第11-12页 |
| ·场致发射显示 | 第12-13页 |
| ·场致发射显示阴极材料 | 第13-18页 |
| ·难熔金属材料 | 第14页 |
| ·金刚石 | 第14-15页 |
| ·纳米碳管 | 第15-16页 |
| ·氮化硼 | 第16页 |
| ·碳化硅 | 第16-17页 |
| ·多孔硅 | 第17-18页 |
| ·选题意义与主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 场致发射理论 | 第19-28页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·表面势垒与电子发射 | 第19-21页 |
| ·Fowler－Nordheim 方程 | 第21-25页 |
| ·场致发射方程的推导 | 第21-24页 |
| ·Fowler－Nordheim 关系曲线 | 第24-25页 |
| ·Fowler－Nordheim 公式的精确性 | 第25页 |
| ·半导体的场致发射 | 第25-28页 |
| ·外电场及吸附原子对表面势垒的影响 | 第25-27页 |
| ·半导体场致发射电流公式及特点 | 第27-28页 |
| 第三章 纳米晶体硅冷阴极的制备 | 第28-37页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·硅纳米材料制备方法研究 | 第28-32页 |
| ·等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法 | 第28-29页 |
| ·激光诱导化学气相沉积(LICVD)法 | 第29-30页 |
| ·高温激光蒸发法 | 第30-31页 |
| ·自组织生长 | 第31-32页 |
| ·高剂量Si 离子注入 | 第32页 |
| ·纳米晶体硅冷阴极的制备方法 | 第32-37页 |
| ·激光烧蚀沉积非晶硅薄膜 | 第32-33页 |
| ·高温快速退火晶化 | 第33-34页 |
| ·蒸镀金属电极 | 第34-35页 |
| ·不同工艺条件的四批样品 | 第35-37页 |
| 第四章 纳米晶体硅薄膜的表征 | 第37-48页 |
| ·拉曼(Raman)光谱 | 第37-38页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第38-41页 |
| ·聚焦法 | 第39-40页 |
| ·薄膜衍射法 | 第40-41页 |
| ·透射电子显微镜(TEM) | 第41-46页 |
| ·制备观察样品 | 第41-42页 |
| ·明场像 | 第42-43页 |
| ·电子衍射花样 | 第43-46页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第五章 纳米硅冷阴极场致发射特性测试 | 第48-55页 |
| ·场致发射测试系统 | 第48-49页 |
| ·在nc-Si 薄膜中的电子发射模型 | 第49-51页 |
| ·测试结果与分析 | 第51-54页 |
| ·第一批样品－掺Er 纳米硅冷阴极 | 第51-52页 |
| ·第二批样品－增加Si02高阻层的掺Er 纳米硅冷阴极 | 第52-53页 |
| ·第三批样品－掺Ni 纳米硅冷阴极 | 第53页 |
| ·第四批样品－增加Si02高阻层的掺Ni 纳米硅冷阴极 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| 第六章 FED 中长条墙式支撑方案的模拟 | 第55-64页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·支撑系统假设与计算条件 | 第55-58页 |
| ·支撑系统的要求 | 第55-56页 |
| ·支撑系统的基本假设 | 第56页 |
| ·计算的初始条件和参数 | 第56-57页 |
| ·ANSYS 模拟过程 | 第57-58页 |
| ·实验方案和模拟结果 | 第58-63页 |
| ·方案1 的模拟结果 | 第59-60页 |
| ·方案2 的模拟结果 | 第60-62页 |
| ·两个方案的比较 | 第62页 |
| ·平板厚度对应力的影响 | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第七章 结论与展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第67-68页 |
| 发表的论文: | 第67页 |
| 参与的科研项目: | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |