| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-35页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·硅基薄膜的性质 | 第11-12页 |
| ·硅薄膜的分类 | 第11-12页 |
| ·微晶/纳米晶硅薄膜 | 第12页 |
| ·硅纳米结构及其性质 | 第12-15页 |
| ·硅纳米晶 | 第13页 |
| ·硅纳米线、纳米棒等 | 第13-15页 |
| ·硅基纳米结构在锂离子电池中的应用 | 第15-27页 |
| ·锂离子电池基本原理 | 第16-17页 |
| ·锂离子电池负极材料 | 第17-20页 |
| ·硅基纳米结构负极材料 | 第20-27页 |
| ·本论文的主要工作 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-35页 |
| 第二章 样品制备及其结构和特性检测方法 | 第35-45页 |
| ·Si基薄膜的制备方法 | 第35-39页 |
| ·等离子体化学气相沉积 | 第35-39页 |
| ·金属衬底纳米结构的电化学沉积 | 第39页 |
| ·样品的结构和物性检测方法 | 第39-41页 |
| ·锂离子电池的组装 | 第41-42页 |
| ·材料的电化学性能表征 | 第42-43页 |
| ·循环伏安测试 | 第42页 |
| ·恒流充放电测试 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第三章 微晶/纳米晶硅薄膜的制备及其结构和光电特性 | 第45-62页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·Ar气稀释对微晶硅薄膜PECVD制备的影响 | 第46-53页 |
| ·沉积速度 | 第46-47页 |
| ·微结构 | 第47-50页 |
| ·光学和电学性质 | 第50-53页 |
| ·甚高频PECVD制备纳米晶硅薄膜 | 第53-58页 |
| ·薄膜生长速率和晶化率 | 第53-54页 |
| ·薄膜的光学性质 | 第54-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 第四章 纳米晶Si棒阵列的制备及其结构和减反性能 | 第62-73页 |
| ·Si纳米结构的研究意义 | 第62-63页 |
| ·纳米晶硅棒阵列的制备 | 第63-64页 |
| ·Ni纳米锥的电化学沉积 | 第63页 |
| ·纳米晶硅的PECVD包覆 | 第63-64页 |
| ·纳米晶硅棒阵列结构表征 | 第64-67页 |
| ·扫描电镜形貌观察 | 第64-66页 |
| ·XRD和Raman分析 | 第66-67页 |
| ·纳米晶Si棒阵列的光学减反性能 | 第67-69页 |
| ·纳米晶Si棒阵列的形成及其减反性能分析 | 第69-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第五章 纳米晶Si棒阵列的电化学性能 | 第73-83页 |
| ·Si阳极材料的研究意义 | 第73-74页 |
| ·Si锂离子电池制备与测试 | 第74页 |
| ·纳米晶Si棒阳极结构表征 | 第74-75页 |
| ·纳米晶Si棒的电化学性能分析 | 第75-80页 |
| ·循环伏安测试 | 第75-77页 |
| ·恒电流充放电测试 | 第77-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第六章 Ge和Si_(1-x)Ge_x阳极材料的电化学性能 | 第83-95页 |
| ·引言 | 第83-84页 |
| ·Ge锂离子电池 | 第84-87页 |
| ·Ge电极的制备及测试 | 第84页 |
| ·Ge纳米结构的表征 | 第84-85页 |
| ·Ge电极的电化学性能 | 第85-87页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x锂离子电池 | 第87-91页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x纳米棒电极的制备 | 第87页 |
| ·Si_(1-x)Ge_x电极的形貌 | 第87-88页 |
| ·SiGe电极的电化学性能 | 第88-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-95页 |
| 第七章 总结与展望 | 第95-98页 |
| ·本论文的主要结论 | 第95-96页 |
| ·工作展望 | 第96-98页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99页 |