| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-25页 |
| ·SiC材料 | 第9-15页 |
| ·SiC材料的基本性质 | 第9-12页 |
| ·SiC器件和材料的研究状况 | 第12-15页 |
| ·器件方面 | 第12页 |
| ·材料的制备 | 第12-15页 |
| 1. 体单晶材料的生长 | 第12-13页 |
| 2. SiC薄膜材料 | 第13-14页 |
| 3. 烧铸的SiC陶瓷材料 | 第14页 |
| 4. 低维SiC材料 | 第14-15页 |
| ·纳米材料 | 第15-20页 |
| ·纳米材料研究进展 | 第15-16页 |
| ·纳米材料的制备方法 | 第16-20页 |
| ·固相合成纳米材料 | 第16页 |
| ·液相合成纳米材料 | 第16-18页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第17页 |
| ·热解法 | 第17-18页 |
| ·气相合成纳米材料 | 第18页 |
| ·模板法合成纳米材料 | 第18-20页 |
| ·本论文研究思路 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-25页 |
| 第二章 基本分析测试方法 | 第25-34页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第25页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第25-27页 |
| ·扫面电子显微镜(SEM) | 第27-28页 |
| ·傅立叶红外光谱(FTIR) | 第28-29页 |
| ·拉曼散射(Raman)光谱 | 第29-30页 |
| ·光致发光(PL) | 第30-31页 |
| ·光致发光激发光谱(PLE) | 第31-34页 |
| 第三章 多孔硅衬底的制备以及用射频溅射法沉积稀土掺杂 SiC的研究 | 第34-65页 |
| 引言 | 第34页 |
| ·多孔硅概述 | 第34-40页 |
| ·多孔硅的历史 | 第34-35页 |
| ·多孔硅的制备方法 | 第35-36页 |
| ·阳极电化学腐蚀法 | 第35页 |
| ·光辐照辅助化学腐蚀法 | 第35页 |
| ·化学腐蚀法 | 第35-36页 |
| ·火花腐蚀技术 | 第36页 |
| ·水热腐蚀法 | 第36页 |
| ·多孔硅的后处理方法 | 第36-37页 |
| ·多孔硅发光 | 第37-38页 |
| ·量子限制模型 | 第37页 |
| ·氢化非晶硅及硅衍生物发光模型 | 第37-38页 |
| ·表面态模型 | 第38页 |
| ·缺陷模型 | 第38页 |
| ·阳极电化学反应基本原理 | 第38-40页 |
| ·射频溅射 | 第40-42页 |
| ·实验过程和表征方法 | 第42-43页 |
| ·多孔硅的制备 | 第42页 |
| ·射频溅射SiC薄膜及掺杂稀土的SiC薄膜 | 第42-43页 |
| ·实验表征方法 | 第43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-61页 |
| ·PS形貌，微结构分析 | 第43-46页 |
| ·PS上沉积 SiC薄膜的结构和发光性质研究 | 第46-61页 |
| ·衬底加热及退火对 SiC: Tb结构和发光的影响 | 第47-58页 |
| ·退火以及 PS衬底对 SiC: Tb薄膜晶化的影响 | 第58-61页 |
| 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 第四章 阳极氧化铝模板的制备和性质研究 | 第65-95页 |
| 引言 | 第65页 |
| ·AAO模板概述 | 第65-72页 |
| ·AAO模板的概念 | 第65-66页 |
| ·历史概述 | 第66-67页 |
| ·阳极氧化产物 | 第67-68页 |
| ·形成机理 | 第68-71页 |
| ·制备方法 | 第71-72页 |
| ·AAO模板的应用 | 第72页 |
| ·实验过程及表征方法 | 第72-76页 |
| ·结果与讨论 | 第76-91页 |
| 1 影响AAO模板有序性因素 | 第76-78页 |
| 2 AAO及通孔 AAO的结构和性质 | 第78-81页 |
| 3 AAO模板的光致发光 | 第81-91页 |
| 本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第五章 在 AAO模板上制备低维 SiC材料及其性质研究 | 第95-104页 |
| 引言 | 第95页 |
| ·实验 | 第95-96页 |
| ·结果与讨论 | 第96-103页 |
| ·非通孔 AAO上形成的低维SiC材料的结构和 PL性质 | 第96-100页 |
| ·通孔 AAO上形成的低维 SiC材料的结构 | 第100-103页 |
| 本章小结 | 第103页 |
| 参考文献 | 第103-104页 |
| 第六章 总结与展望 | 第104-106页 |
| ·主要结论 | 第104-105页 |
| ·展望 | 第105-106页 |
| 研究生阶段发表论文 | 第106-107页 |
| 致谢 | 第107页 |
