| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 新型硅基薄膜材料及其制备技术 | 第9-26页 |
| ·硅基微电子技术概述 | 第9页 |
| ·传统硅基微电子技术面临的困难和挑战 | 第9-12页 |
| ·器件特性随特征尺寸减小而退化所受到的限制 | 第10-11页 |
| ·传统硅器件自身存在的一些缺陷 | 第11页 |
| ·新技术的突破 | 第11-12页 |
| ·目前几种典型的新型硅基材料 | 第12-19页 |
| ·SOI技术 | 第12-15页 |
| ·SiGe技术 | 第15-17页 |
| ·应变硅技术 | 第17-19页 |
| ·GOI技术 | 第19页 |
| ·硅基薄膜的制备方法 | 第19-25页 |
| ·化学汽相沉积 | 第20-21页 |
| ·物理气象淀积 | 第21-24页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第24页 |
| ·薄膜转移技术 | 第24-25页 |
| ·本论文的主要工作 | 第25-26页 |
| 第二章 SOI低温薄膜转移技术的研究 | 第26-44页 |
| ·引言 | 第26-31页 |
| ·SOI的基本概念 | 第26页 |
| ·SOI晶圆片的主要制造技术 | 第26-31页 |
| ·几种制备工艺技术的比较以及本章研究方向 | 第31页 |
| ·直接键合技术原理 | 第31-33页 |
| ·低温键合工艺 | 第33-34页 |
| ·实验方法 | 第34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-42页 |
| ·红外图像分析及键合强度分析 | 第34-38页 |
| ·低温工艺制备的SOI材料的表征 | 第38-42页 |
| ·小结 | 第42-44页 |
| 第三章 绝缘层上Ge的制备及表征 | 第44-65页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·样品制备 | 第44-45页 |
| ·注H~+Ge的表面退火剥离研究 | 第45-49页 |
| ·注H~+Ge与SiO_2的键合以及退火剥离形成GOI的研究 | 第49-63页 |
| ·GOI的剖面结构分析 | 第49-52页 |
| ·GOI的表面形貌分析 | 第52-53页 |
| ·GOI的顶层Ge晶体性能的表征 | 第53-58页 |
| ·后续退火工艺对GOI顶层Ge的影响 | 第58-63页 |
| ·小结 | 第63-65页 |
| 第四章 硅基LiTaO_3薄膜转移的研究 | 第65-84页 |
| ·引言 | 第65-66页 |
| ·LiTaO_3的物理性质、薄膜制备及应用 | 第65-66页 |
| ·Smart-cut法制备单晶LiTaO_3薄膜 | 第66-77页 |
| ·注H~+LiTaO_3的研究 | 第67-73页 |
| ·Smart-cut法实现LiTaO_3薄膜转移的研究 | 第73-77页 |
| ·利用共晶键合实现LiTaO_3/Metal/Si结构的研究 | 第77-83页 |
| ·共晶键合的基本介绍 | 第77-78页 |
| ·LiTaO_3的共晶键合 | 第78-82页 |
| ·关于减薄工艺制备薄膜的讨论 | 第82-83页 |
| ·小结 | 第83-84页 |
| 第五章 结论 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-92页 |
| 发表论文目录 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 个人简历 | 第94页 |
