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电子束熔炼与定向凝固技术耦合去除硅中杂质的研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
1 绪论第9-24页
   ·立题背景第9-11页
   ·冶金法制备太阳能级多晶硅第11-20页
     ·冶金法发展历程第11-12页
     ·冶金法制备太阳能级多晶硅主要机理及工艺第12-18页
     ·冶金法制备太阳能级多晶硅的现状及展望第18-20页
   ·电子束熔炼技术第20-23页
     ·电子束熔炼技术原理及特点第20-22页
     ·电子束熔炼技术的应用第22-23页
     ·电子束熔炼多晶硅存在的问题第23页
   ·本文的主要研究目的及内容第23-24页
2 电子束熔炼去除P、Al杂质特征分析第24-42页
   ·电子束基础实验第24-27页
     ·实验设备第24-26页
     ·实验参数第26页
     ·实验步骤第26-27页
   ·熔炼过程理论解析第27-31页
   ·电子束熔炼模型第31-32页
   ·结果与讨论第32-40页
     ·P、Al挥发去除第32-35页
     ·Si的挥发损失第35-38页
     ·电子束熔炼过程能耗第38-40页
   ·本章小结第40-42页
3 电子束指数降束诱导多晶硅定向凝固第42-57页
   ·概述第42-43页
   ·电子束指数降束诱导多晶硅定向凝固实验第43-45页
     ·实验参数第43页
     ·实验步骤第43-45页
   ·结果与讨论第45-56页
     ·最小熔炼束流第45页
     ·形貌及金相组织分析第45-47页
     ·电阻率分布第47-48页
     ·Fe、Al元素的分布第48-53页
     ·电子束诱导定向凝固与电子束熔炼瞬时凝固条件下除Al对比第53-56页
   ·本章小结第56-57页
结论第57-58页
参考文献第58-64页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第64-65页
致谢第65-66页

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