摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
1 绪论 | 第9-24页 |
·立题背景 | 第9-11页 |
·冶金法制备太阳能级多晶硅 | 第11-20页 |
·冶金法发展历程 | 第11-12页 |
·冶金法制备太阳能级多晶硅主要机理及工艺 | 第12-18页 |
·冶金法制备太阳能级多晶硅的现状及展望 | 第18-20页 |
·电子束熔炼技术 | 第20-23页 |
·电子束熔炼技术原理及特点 | 第20-22页 |
·电子束熔炼技术的应用 | 第22-23页 |
·电子束熔炼多晶硅存在的问题 | 第23页 |
·本文的主要研究目的及内容 | 第23-24页 |
2 电子束熔炼去除P、Al杂质特征分析 | 第24-42页 |
·电子束基础实验 | 第24-27页 |
·实验设备 | 第24-26页 |
·实验参数 | 第26页 |
·实验步骤 | 第26-27页 |
·熔炼过程理论解析 | 第27-31页 |
·电子束熔炼模型 | 第31-32页 |
·结果与讨论 | 第32-40页 |
·P、Al挥发去除 | 第32-35页 |
·Si的挥发损失 | 第35-38页 |
·电子束熔炼过程能耗 | 第38-40页 |
·本章小结 | 第40-42页 |
3 电子束指数降束诱导多晶硅定向凝固 | 第42-57页 |
·概述 | 第42-43页 |
·电子束指数降束诱导多晶硅定向凝固实验 | 第43-45页 |
·实验参数 | 第43页 |
·实验步骤 | 第43-45页 |
·结果与讨论 | 第45-56页 |
·最小熔炼束流 | 第45页 |
·形貌及金相组织分析 | 第45-47页 |
·电阻率分布 | 第47-48页 |
·Fe、Al元素的分布 | 第48-53页 |
·电子束诱导定向凝固与电子束熔炼瞬时凝固条件下除Al对比 | 第53-56页 |
·本章小结 | 第56-57页 |
结论 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-64页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第64-65页 |
致谢 | 第65-66页 |