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多孔硅微结构及发光机理的正电子谱学研究

摘要第1-6页
Abstract第6-11页
第一章 绪论第11-33页
   ·多孔硅材料概述第11-16页
     ·多孔硅可见发光性能的发现第11-13页
     ·多孔硅材料的制备方法第13-15页
     ·多孔硅材料的生长机理及形貌第15-16页
   ·发光机理研究进展第16-22页
   ·多孔材料的正电子谱学方法研究进展第22-25页
     ·孔隙结构的研究第24-25页
     ·吸附性质的研究第25页
     ·表面态及催化性质的研究第25页
   ·多孔硅的正电子谱学研究进展第25-26页
     ·多孔硅中电子偶素的观察第25-26页
     ·气氛对正电子谱学测量的影响第26页
     ·生长条件对多孔硅微结构的影响第26页
     ·慢正电子束流对多孔硅的研究第26页
   ·SI-SIO_2界面的正电子谱学研究进展第26-27页
   ·论文选题意义第27-28页
   ·论文主要内容第28-29页
 参考文献第29-33页
第二章 研究手段及测量方法第33-51页
   ·扫描电子显微镜第33-34页
   ·光电子能谱第34页
   ·真空紫外荧光光谱仪第34-35页
   ·正电子与物质的相互作用第35-42页
     ·正电子在材料中的注入深度第35-36页
     ·正电子在材料中的扩散第36-37页
     ·正电子的浅捕获第37-38页
     ·电子偶素基本特性第38-40页
     ·电子偶素在材料中的形成第40-42页
   ·正电子谱学方法第42-49页
     ·正电子湮没寿命谱第44-47页
     ·正电子湮没一维多普勒展宽谱第47-48页
     ·正电子湮没角关联测量技术第48-49页
   ·本章小节第49-50页
 参考文献第50-51页
第三章 样品制备第51-61页
   ·多孔硅样品的制备工艺第51-57页
     ·电极的准备第51-52页
     ·电压-电流曲线第52-54页
     ·HF酸浓度第54页
     ·腐蚀速度第54-57页
     ·样品保存第57页
   ·硅泡沫的制备方法与工艺第57-58页
   ·本章小节第58-59页
 参考文献第59-61页
第四章 多孔硅材料的微观结构及正电子湮没谱学的应用第61-83页
   ·多孔硅的表面形貌第61-62页
   ·二维符合多普勒展宽谱第62-64页
   ·正电子寿命-动量关联谱以及谱仪改进第64-70页
   ·多孔硅样品中电子偶素的产生第70-71页
   ·电子偶素在多孔材料中的湮没及猝灭第71-73页
   ·气体介质中正电子与PS的湮没率第73-74页
   ·测试气氛对多孔硅样品中电子偶素湮没行为的影响第74-77页
   ·硅泡沫的正电子谱学表征第77-79页
     ·硅泡沫的正电子谱学表征第77-78页
     ·正电子湮没寿命-动量关联谱结果第78-79页
   ·本章小结第79-81页
 参考文献第81-83页
第五章 多孔硅发光机理的正电子谱学研究第83-111页
   ·腐蚀电流密度对多孔硅发光性能的影响第83-85页
     ·样品制备第83页
     ·发光机理讨论第83-85页
     ·小结第85页
   ·N型与P型多孔硅发光性能的区别第85-89页
     ·样品制备第86页
     ·发光机理讨论第86-89页
     ·小结第89页
   ·水和乙醇浸泡对多孔硅发光性能的影响第89-92页
     ·样品制备第89页
     ·发光机理讨论第89-92页
     ·小结第92页
   ·金属离子钝化对发光性能的改变第92-100页
     ·Fe钝化第92-99页
     ·其它金属离子钝化第99-100页
   ·多孔硅的快速热氧化退火第100-103页
     ·样品制备及处理第101页
     ·发光机理讨论第101-103页
     ·小结第103页
   ·多孔硅的水蒸汽退火及真空退火第103-108页
     ·样品制备及处理第104页
     ·实验结果与讨论第104-108页
     ·小结第108页
   ·本章小结第108-110页
 参考文献第110-111页
第六章 结论与展望第111-115页
   ·结论第111-112页
   ·展望第112-115页
博士在读期间发表的论文第115页
合作署名论文第115-117页
致谢第117-118页
作者简介第118页

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