冶金提纯法制备太阳能级多晶硅研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
1 绪论 | 第11-35页 |
·立题背景 | 第11-21页 |
·能源危机与太阳能发展 | 第11-16页 |
·太阳电池的发展现状 | 第16-21页 |
·太阳能级多晶硅的供求矛盾 | 第21页 |
·太阳能级多晶硅的制备方法与发展 | 第21-25页 |
·传统太阳能级多晶硅制备工艺 | 第21-23页 |
·太阳能级多晶硅制备新工艺发展 | 第23-25页 |
·冶金法制备太阳能级多晶硅 | 第25-34页 |
·冶金法制备太阳能级多晶硅技术发展 | 第25-30页 |
·冶金法制备太阳能级多晶硅的技术现状 | 第30-33页 |
·冶金法制备太阳能级多晶硅制备发展前景 | 第33-34页 |
·本论文的研究目的与内容 | 第34-35页 |
2 多晶硅冶金提纯工艺确定 | 第35-45页 |
·硅的性质 | 第35页 |
·工业硅的主要杂质及其去除方法 | 第35-40页 |
·金属杂质元素及其去除方法 | 第37-38页 |
·主要非金属杂质及其去除方法 | 第38-40页 |
·本研究的冶金提纯工艺路线 | 第40-42页 |
·实验材料与检测手段 | 第42-45页 |
·熔炼坩埚 | 第42-43页 |
·杂质检测方法 | 第43-44页 |
·腐蚀剂 | 第44-45页 |
3 酸洗提纯 | 第45-57页 |
·酸洗原理 | 第45-46页 |
·酸洗设备 | 第46-48页 |
·酸洗实验过程 | 第48页 |
·酸洗结果分析 | 第48-56页 |
·硅粉粒度的影响 | 第48-49页 |
·酸的影响 | 第49-51页 |
·浓度的影响 | 第51页 |
·酸洗温度的影响 | 第51-52页 |
·酸洗时间的影响 | 第52-53页 |
·机械搅拌与超声场酸洗对比研究 | 第53-55页 |
·中试放大实验 | 第55-56页 |
·小结 | 第56-57页 |
4 真空感应精炼 | 第57-66页 |
·真空感应精炼原理 | 第57-60页 |
·真空精炼原理 | 第57-59页 |
·感应熔炼原理 | 第59-60页 |
·真空感应精炼设备 | 第60-61页 |
·真空精炼实验过程 | 第61页 |
·真空精炼结果分析 | 第61-65页 |
·感应加热频率选择 | 第61-62页 |
·真空度的影响 | 第62-63页 |
·真空精炼时间的影响 | 第63页 |
·硅的收率计算 | 第63-65页 |
·小结 | 第65-66页 |
5 定向凝固提纯 | 第66-86页 |
·定向凝固提纯原理 | 第66-70页 |
·实验设备 | 第70-72页 |
·定向凝固实验过程 | 第72页 |
·定向凝固参数探讨 | 第72-79页 |
·温度梯度 | 第72-73页 |
·凝固速度与次数 | 第73-75页 |
·精炼磁场 | 第75-79页 |
·定向凝固结果分析 | 第79-85页 |
·铸锭金相组织 | 第79-80页 |
·杂质元素分布 | 第80-82页 |
·固液界面形态 | 第82-84页 |
·轴向偏析 | 第84-85页 |
·小结 | 第85-86页 |
6 电子束精炼提纯 | 第86-105页 |
·电子束精炼提纯原理 | 第86-87页 |
·电子束精炼设备 | 第87-88页 |
·电子束精炼实验过程 | 第88-90页 |
·水冷铜坩埚精炼工业硅实验 | 第88页 |
·多晶硅铸锭电子束精炼实验 | 第88-90页 |
·电子束精炼参数探讨 | 第90-99页 |
·电子束工作模式 | 第90-91页 |
·精炼温度选择 | 第91-92页 |
·精炼时间选择 | 第92-94页 |
·电子束功率选择 | 第94-98页 |
·进料速度选择 | 第98-99页 |
·电子束精炼结果分析 | 第99-104页 |
·池熔实验结果分析 | 第99-102页 |
·电子束滴熔结果分析 | 第102-104页 |
·小结 | 第104-105页 |
结论 | 第105-107页 |
展望 | 第107-108页 |
创新点摘要 | 第108-109页 |
参考文献 | 第109-117页 |
附录A 硅与主要杂质元素的二元相图 | 第117-122页 |
附录B 主要杂质元素饱和蒸气压ABCD值 | 第122-123页 |
攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第123-125页 |
致谢 | 第125-126页 |
作者简介 | 第126-127页 |