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冶金提纯法制备太阳能级多晶硅研究

摘要第1-6页
Abstract第6-11页
1 绪论第11-35页
   ·立题背景第11-21页
     ·能源危机与太阳能发展第11-16页
     ·太阳电池的发展现状第16-21页
     ·太阳能级多晶硅的供求矛盾第21页
   ·太阳能级多晶硅的制备方法与发展第21-25页
     ·传统太阳能级多晶硅制备工艺第21-23页
     ·太阳能级多晶硅制备新工艺发展第23-25页
   ·冶金法制备太阳能级多晶硅第25-34页
     ·冶金法制备太阳能级多晶硅技术发展第25-30页
     ·冶金法制备太阳能级多晶硅的技术现状第30-33页
     ·冶金法制备太阳能级多晶硅制备发展前景第33-34页
   ·本论文的研究目的与内容第34-35页
2 多晶硅冶金提纯工艺确定第35-45页
   ·硅的性质第35页
   ·工业硅的主要杂质及其去除方法第35-40页
     ·金属杂质元素及其去除方法第37-38页
     ·主要非金属杂质及其去除方法第38-40页
   ·本研究的冶金提纯工艺路线第40-42页
   ·实验材料与检测手段第42-45页
     ·熔炼坩埚第42-43页
     ·杂质检测方法第43-44页
     ·腐蚀剂第44-45页
3 酸洗提纯第45-57页
   ·酸洗原理第45-46页
   ·酸洗设备第46-48页
   ·酸洗实验过程第48页
   ·酸洗结果分析第48-56页
     ·硅粉粒度的影响第48-49页
     ·酸的影响第49-51页
     ·浓度的影响第51页
     ·酸洗温度的影响第51-52页
     ·酸洗时间的影响第52-53页
     ·机械搅拌与超声场酸洗对比研究第53-55页
     ·中试放大实验第55-56页
   ·小结第56-57页
4 真空感应精炼第57-66页
   ·真空感应精炼原理第57-60页
     ·真空精炼原理第57-59页
     ·感应熔炼原理第59-60页
   ·真空感应精炼设备第60-61页
   ·真空精炼实验过程第61页
   ·真空精炼结果分析第61-65页
     ·感应加热频率选择第61-62页
     ·真空度的影响第62-63页
     ·真空精炼时间的影响第63页
     ·硅的收率计算第63-65页
   ·小结第65-66页
5 定向凝固提纯第66-86页
   ·定向凝固提纯原理第66-70页
   ·实验设备第70-72页
   ·定向凝固实验过程第72页
   ·定向凝固参数探讨第72-79页
     ·温度梯度第72-73页
     ·凝固速度与次数第73-75页
     ·精炼磁场第75-79页
   ·定向凝固结果分析第79-85页
     ·铸锭金相组织第79-80页
     ·杂质元素分布第80-82页
     ·固液界面形态第82-84页
     ·轴向偏析第84-85页
   ·小结第85-86页
6 电子束精炼提纯第86-105页
   ·电子束精炼提纯原理第86-87页
   ·电子束精炼设备第87-88页
   ·电子束精炼实验过程第88-90页
     ·水冷铜坩埚精炼工业硅实验第88页
     ·多晶硅铸锭电子束精炼实验第88-90页
   ·电子束精炼参数探讨第90-99页
     ·电子束工作模式第90-91页
     ·精炼温度选择第91-92页
     ·精炼时间选择第92-94页
     ·电子束功率选择第94-98页
     ·进料速度选择第98-99页
   ·电子束精炼结果分析第99-104页
     ·池熔实验结果分析第99-102页
     ·电子束滴熔结果分析第102-104页
   ·小结第104-105页
结论第105-107页
展望第107-108页
创新点摘要第108-109页
参考文献第109-117页
附录A 硅与主要杂质元素的二元相图第117-122页
附录B 主要杂质元素饱和蒸气压ABCD值第122-123页
攻读博士学位期间发表学术论文情况第123-125页
致谢第125-126页
作者简介第126-127页

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