| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-21页 |
| §1-1 薄层电阻测量的重要性 | 第7-8页 |
| §1-2 薄层电阻的定义 | 第8页 |
| §1-3 微区电阻测试相关因素分析 | 第8-12页 |
| 1-3-1 离子注入监测 | 第8-9页 |
| 1-3-2 反向耐压 | 第9页 |
| 1-3-3 二极管的反向饱和电流 | 第9-10页 |
| 1-3-4 晶体管的饱和压降 | 第10页 |
| 1-3-5 MOS电容器耗尽层弛豫时间Tc | 第10页 |
| 1-3-6 晶体管的放大倍数β | 第10-11页 |
| 1-3-7 GaAs器件阈值分散性 | 第11页 |
| 1-3-8 化合物半导体计量比一致性 | 第11-12页 |
| 1-3-9 硅可控整流器 | 第12页 |
| 1-3-10 材料结构强度的判定依据 | 第12页 |
| §1-4 国内外薄层电阻测试方法综述 | 第12-20页 |
| 1-4-1 微区薄层电阻测试方法种类 | 第12-13页 |
| 1-4-2 微区电阻测试方法的原理与特点 | 第13-17页 |
| 1-4-3 微区电阻测试结果的表示方法 | 第17页 |
| 1-4-4 微区电阻的测试结构分析 | 第17-19页 |
| 1-4-5 四探针技术可测试的对象及电阻率测试的广泛应用 | 第19-20页 |
| §1-5 本论文的主要研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 用四探针法测量薄层电阻的原理 | 第21-27页 |
| §2-1 四探针测试技术综述 | 第21-22页 |
| §2-2 常规直线四探针法 | 第22-24页 |
| §2-3 改进的范德堡法 | 第24页 |
| §2-4 斜置式方形Rymaszewski四探针法 | 第24-26页 |
| §2-5 小结 | 第26-27页 |
| 第三章 用探针法测量微区电阻影响测量精度的各种因素 | 第27-41页 |
| §3-1 模型误差和方法误差 | 第27-28页 |
| §3-2 少子注入 | 第28-31页 |
| §3-3 磁场干扰 | 第31页 |
| §3-4 接触电阻 | 第31-36页 |
| 3-4-1 接触电阻的分析研究 | 第32页 |
| 3-4-2 接触电阻的简单模型 | 第32-34页 |
| 3-4-3 实际接触面的接触电阻 | 第34页 |
| 3-4-4 探针接触 | 第34页 |
| 3-4-5 触点压力 | 第34-35页 |
| 3-4-6 平衡触点压力（BCF） | 第35页 |
| 3-4-7 超量驱动 | 第35页 |
| 3-4-8 平整度 | 第35-36页 |
| §3-5 温度电阻热 | 第36页 |
| §3-6 接触电动势 | 第36-37页 |
| §3-7 测试探针 | 第37页 |
| §3-8 探针游移对测试结果的影响 | 第37-40页 |
| §3-9 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 方形四探针测试仪的改进方案 | 第41-45页 |
| §4-1 方形探针仪的原理 | 第41-42页 |
| §4-2 方形探针仪的改进方案 | 第42-44页 |
| 4-2-1 电流源的改进方案 | 第42-43页 |
| 4-2-2 探针结构改进方案 | 第43-44页 |
| 4-2-3 其他方面的改进方案 | 第44页 |
| §4-3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章结论 | 第45-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 读硕士期间发表的论文 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
