单晶硅自停止腐蚀工艺研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·选题背景 | 第7-10页 |
| ·国内外浓硼扩散腐蚀自停止的研究和发展状况 | 第10-14页 |
| ·掺杂技术概述 | 第10-12页 |
| ·国内外关于浓硼扩散腐蚀自停止的研究 | 第12-14页 |
| ·论文的研究内容和研究方法 | 第14-15页 |
| 第二章 扩散的基础理论 | 第15-19页 |
| ·扩散原理 | 第15页 |
| ·扩散方程 | 第15-16页 |
| ·扩散条件 | 第16-18页 |
| ·扩散过程中的残余应力产生 | 第18-19页 |
| 第三章 浓硼掺杂自停止腐蚀的基础理论 | 第19-25页 |
| ·重掺杂自停止腐蚀方法 | 第19-22页 |
| ·KOH腐蚀液的腐蚀系统 | 第19-20页 |
| ·EPW腐蚀液腐蚀系统 | 第20-22页 |
| ·腐蚀速率与掺杂浓度的关系 | 第22-25页 |
| ·EPW系统 | 第22-23页 |
| ·KOH系统 | 第23-25页 |
| 第四章 测试方法及设备 | 第25-29页 |
| ·四探针测方块电阻R_s | 第25-26页 |
| ·方块电阻R_s | 第25-26页 |
| ·四探针测试原理 | 第26页 |
| ·扩展电阻探针测试 | 第26-27页 |
| ·关于扩散应力的测试方法 | 第27-29页 |
| 第五章 工艺路线选择及实验方案 | 第29-33页 |
| ·工艺流程简介 | 第29页 |
| ·实验方案 | 第29-33页 |
| ·扩散方法选择 | 第29-32页 |
| ·悬臂梁的制作 | 第32页 |
| ·腐蚀方案的选择 | 第32-33页 |
| 第六章 实验结果与讨论 | 第33-54页 |
| ·扩散结果的讨论 | 第33-41页 |
| ·气流对扩散的影响 | 第33-34页 |
| ·扩散温度对方块电阻以及浓度分布的影响 | 第34-36页 |
| ·扩散后再分布的影响 | 第36-37页 |
| ·扩散时间的影响 | 第37-39页 |
| ·p型和n型衬底对扩散的影响 | 第39-40页 |
| ·氧化层对扩散的阻挡作用 | 第40-41页 |
| ·扩散源和硅片之间的间隙大小对扩散的影响 | 第41页 |
| ·腐蚀结果讨论 | 第41-44页 |
| ·硼硅玻璃(BSG)的去除 | 第41-42页 |
| ·重掺杂层的腐蚀 | 第42-43页 |
| ·单晶硅的腐蚀 | 第43-44页 |
| ·硼扩散应力的讨论 | 第44-54页 |
| ·测试数据及其分析 | 第44-52页 |
| ·扩散残余应力的减小 | 第52-54页 |
| 第七章 总结与展望 | 第54-57页 |
| ·工作总结 | 第54-55页 |
| ·工作展望 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 附录 | 第61页 |
