| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·黑硅概述 | 第10-13页 |
| ·黑硅的发现 | 第10-11页 |
| ·黑硅的制备方法 | 第11-12页 |
| ·黑硅的优良性能及应用 | 第12-13页 |
| ·金属-半导体-金属(MSM)光电探测器 | 第13-14页 |
| ·MSM光电探测器发展 | 第13-14页 |
| ·MSM光电探测器特点 | 第14页 |
| ·MEMS技术简介 | 第14-16页 |
| ·技术分类 | 第15页 |
| ·硅基MEMS技术 | 第15-16页 |
| ·LIGA技术 | 第16页 |
| ·MEMS技术发展趋势和展望 | 第16页 |
| ·选题思路和研究内容 | 第16-18页 |
| ·选题思路 | 第16-17页 |
| ·本文研究要点 | 第17-18页 |
| 第二章 实验原理 | 第18-33页 |
| ·湿法刻蚀原理 | 第18-21页 |
| ·各向同性刻蚀 | 第18-19页 |
| ·各向异性刻蚀机理 | 第19-20页 |
| ·各向异性刻蚀 | 第20-21页 |
| ·DRIE刻蚀原理 | 第21-22页 |
| ·金属-半导体-金属MSM光电探测器 | 第22-29页 |
| ·金属-半导体-金属MSM光电探测器原理 | 第22-27页 |
| ·MSM器件的电流-电压特性 | 第27-28页 |
| ·MSM器件的电容-电压特性 | 第28-29页 |
| ·MSM探测器的性能参数 | 第29-32页 |
| ·量子效率与响应度 | 第29-30页 |
| ·MSM探测器的暗电流 | 第30-31页 |
| ·响应速率和响应时间 | 第31-32页 |
| ·URE-2000s型紫外单双面深刻曝光光刻机简介 | 第32-33页 |
| ·光刻机组成部分 | 第32页 |
| ·光刻机主要特点 | 第32-33页 |
| 第三章 黑硅MSM光电探测器制备 | 第33-48页 |
| ·实验方案总体思路, | 第33页 |
| ·湿法刻蚀制备黑硅 | 第33-39页 |
| ·硅片掩膜的制备 | 第33-35页 |
| ·各向异性刻蚀：KOH刻蚀 | 第35-36页 |
| ·各向同性刻蚀：HF酸刻蚀 | 第36-39页 |
| ·DRIE刻蚀制备黑硅 | 第39-42页 |
| ·实验方案设计 | 第39页 |
| ·黑硅表面形貌及分析 | 第39-41页 |
| ·DRIE刻蚀黑硅小结 | 第41-42页 |
| ·无势垒层的黑硅MSM光电探测器制备 | 第42-46页 |
| ·金属电极的蒸镀 | 第42页 |
| ·叉指电极的光刻 | 第42-46页 |
| ·黑硅MSM光电探测器导线的引出 | 第46页 |
| ·带势垒层的黑硅MSM光电探测器制备 | 第46-47页 |
| ·章节小结 | 第47-48页 |
| 第四章 黑硅MSM光电探测器性能的研究 | 第48-55页 |
| ·实验测试仪器的介绍 | 第48页 |
| ·无势垒层的黑硅MSM光电探测器 | 第48-51页 |
| ·黑硅MSM光电探测器光电曲线 | 第48-50页 |
| ·黑硅MSM光电探测器光电性能分析 | 第50-51页 |
| ·带势垒层的黑硅MSM光电探测器分析 | 第51-54页 |
| ·暗电流分析 | 第51-52页 |
| ·光电流分析 | 第52-54页 |
| ·章节小结 | 第54-55页 |
| 第五章 退火工艺对黑硅光电性能的影响 | 第55-60页 |
| ·快速退火 | 第55-56页 |
| ·快速退火对黑硅材料的影响 | 第56-57页 |
| ·快速退火对黑硅MSM探测器光电性能的影响 | 第57-58页 |
| ·章节小结 | 第58-60页 |
| 第六章 结论与展望 | 第60-63页 |
| ·实验结论 | 第60-61页 |
| ·未来展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |