| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-20页 |
| ·微电子技术向光电子技术的发展 | 第8-9页 |
| ·纳米晶硅发光的研究历史、发光机制及潜在应用 | 第9-12页 |
| ·掺铒纳米晶硅发光的研究历史、发光原理及潜在应用 | 第12-14页 |
| ·研究现状 | 第14-16页 |
| ·光通讯和EDFA | 第16-19页 |
| ·本研究的主要内容划分 | 第19-20页 |
| 第2章 试样制作法及分析方法 | 第20-27页 |
| ·纳米晶硅的现有制作法简介 | 第20页 |
| ·掺铒纳米晶硅现有制作法简介 | 第20-21页 |
| ·本试验中纳米晶硅及掺铒纳米晶硅的制作方法 | 第21-27页 |
| ·脉冲激光沉积技术制备纳米晶硅的方法 | 第21-25页 |
| ·掺铒纳米晶硅的制作方法 | 第25页 |
| ·纳米晶硅及掺铒纳米晶硅光致发光光谱的检测方法简介 | 第25-27页 |
| 第3章 纳米晶硅的光致发光特性 | 第27-40页 |
| ·纳米晶硅的制作条件和测试分析条件 | 第27-28页 |
| ·纳米晶硅的制作条件 | 第27页 |
| ·纳米晶硅的测试分析条件 | 第27-28页 |
| ·纳米晶硅的发光强度与退火温度的关系及分析 | 第28页 |
| ·发光强度与沉积氧气压力的关系及分析 | 第28-34页 |
| ·结果分析与讨论 | 第34-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 掺铒纳米晶硅的光致发光特性 | 第40-47页 |
| ·掺铒纳米晶硅制作条件和测试分析条件 | 第40-41页 |
| ·掺铒纳米晶硅制作条件 | 第40页 |
| ·掺铒纳米晶硅测试分析条件 | 第40-41页 |
| ·Er发光强度与退火温度的关系及分析 | 第41-43页 |
| ·Er发光强度与沉积氧气压力的关系及分析 | 第43-46页 |
| ·不同沉积氧气压力与Er及纳米晶硅发光强度的比较 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第5章 总结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文 | 第54页 |