| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第1章 前言 | 第10-26页 |
| ·多晶硅薄膜的应用 | 第10-12页 |
| ·多晶硅薄膜在电子器件中的应用 | 第10-11页 |
| ·多晶硅薄膜在太阳电池中的应用 | 第11-12页 |
| ·多晶硅薄膜的结构特点和光电性能 | 第12-14页 |
| ·多晶硅薄膜的结构特点 | 第12-13页 |
| ·晶粒间界对多晶硅电导性能的影响 | 第13页 |
| ·多晶硅薄膜的光电性能 | 第13-14页 |
| ·多晶硅薄膜的低温制备方法 | 第14-18页 |
| ·固相晶化法 | 第14-16页 |
| ·在衬底上直接沉积多晶硅薄膜(T<500℃) | 第16-18页 |
| ·以SiCl_4 /H_2 为气源制备多晶硅薄膜的优点和研究现状 | 第18-21页 |
| ·PECVD 法低温沉积硅薄膜的实验过程 | 第21-22页 |
| ·实验所用PECVD 系统的描述 | 第21页 |
| ·样品的制备 | 第21-22页 |
| ·本研究所采取的方法极其意义 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-26页 |
| 第2章 多晶硅薄膜的输运机制 | 第26-36页 |
| ·薄膜的暗电导率和激活能 | 第26-30页 |
| ·多晶硅的导电机理和激活能 | 第26页 |
| ·实验装置、测量方法及结果 | 第26-30页 |
| ·多晶硅薄膜的低温输运特性 | 第30-34页 |
| ·实验装置、测量方法及结果 | 第30-34页 |
| 小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-36页 |
| 第3章 用SCLC 研究多晶硅薄膜的禁带态密度分布 | 第36-52页 |
| ·带隙能态测量方法 | 第36-37页 |
| ·研究结果及存在的问题 | 第37-38页 |
| ·SCLC 理论及其基本原理 | 第38-43页 |
| ·SCLC 测量系统及测量电路 | 第43-44页 |
| ·实验结果及分析 | 第44-49页 |
| 小结 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 第4章 光照和偏压对多晶硅薄膜室温电导的影响 | 第52-61页 |
| ·有效介质假设模拟计算 | 第52-53页 |
| ·多晶硅薄膜的光、暗电导及晶化率和灵敏度的关系 | 第53-54页 |
| ·多晶硅薄膜的光照稳定性测量 | 第54-56页 |
| ·光注入后多晶硅薄膜激活能的变化 | 第56-57页 |
| ·暗电导随时间的变化 | 第57-59页 |
| 小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第5章 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第64-65页 |
| 本人简历 | 第65页 |