P型SiC欧姆接触高温可靠性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·研究目的和意义 | 第8-9页 |
| ·研究现状 | 第9-12页 |
| ·P型SiC欧姆接触的工艺方法 | 第9-10页 |
| ·高温可靠性方面的研究 | 第10-12页 |
| ·本论文主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 SiC欧姆接触 | 第14-31页 |
| ·SiC | 第14-16页 |
| ·SiC同素异构体 | 第14页 |
| ·SiC与Si的比较 | 第14-16页 |
| ·测试方法 | 第16-29页 |
| ·实验仪器 | 第16-23页 |
| ·比电阻的测试方法 | 第23-24页 |
| ·提高精度的测量 | 第24-29页 |
| ·可靠性测试 | 第29-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 第三章 P型SiC欧姆接触形成机制 | 第31-47页 |
| ·费米钉扎 | 第31页 |
| ·间接层理论 | 第31-34页 |
| ·坑点理论 | 第31-32页 |
| ·合金理论 | 第32-34页 |
| ·空位理论 | 第34-37页 |
| ·空位原理 | 第34-35页 |
| ·SIMS分析 | 第35-36页 |
| ·原理图 | 第36-37页 |
| ·量子隧穿 | 第37-43页 |
| ·隧穿原理 | 第37-40页 |
| ·隧穿模型 | 第40-43页 |
| ·失效机制 | 第43-46页 |
| ·失效分析 | 第43-44页 |
| ·离子注入 | 第44-45页 |
| ·退火 | 第45-46页 |
| ·Al | 第46页 |
| ·失效参数 | 第46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第四章 纳米多晶硅制备P型SiC欧姆接触 | 第47-60页 |
| ·样品制作 | 第47-53页 |
| ·3C-SiC外延层的制备 | 第47-53页 |
| ·欧姆接触电极的制备 | 第53页 |
| ·实验结果分析 | 第53-58页 |
| ·小结 | 第58-60页 |
| 第五章 结束语 | 第60-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 附录 攻读硕士期间的研究成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
