| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 引言 | 第10-12页 |
| 1 文献综述 | 第12-28页 |
| ·硅的应变工程 | 第12-13页 |
| ·应变对电子迁移率的影响 | 第12-13页 |
| ·应变对空穴迁移率的影响 | 第13页 |
| ·应变Si的引入方法 | 第13-15页 |
| ·SiGe的性质 | 第14-15页 |
| ·Si/SiGe薄膜的外延生长 | 第15-19页 |
| ·外延生长方法 | 第15-16页 |
| ·Si/SiGe薄膜的外延生长过程 | 第16-17页 |
| ·临界厚度 | 第17-19页 |
| ·Si/SiGe异质结的能带配置 | 第19-20页 |
| ·应变Si/SiGe技术发展状况 | 第20-26页 |
| ·成分渐变缓冲层技术 | 第20-21页 |
| ·低温缓冲层技术 | 第21-22页 |
| ·应变Si和SOI技术 | 第22-26页 |
| ·课题研究的意义及内容 | 第26-28页 |
| 2 实验设备和材料表征方法 | 第28-36页 |
| ·实验设备 | 第28-29页 |
| ·材料表征方法 | 第29-36页 |
| ·X射线双晶衍射 | 第29-31页 |
| ·表面扫描检测系统 | 第31-32页 |
| ·拉曼光谱分析仪 | 第32-34页 |
| ·原子力显微镜 | 第34-36页 |
| 3 应变SiGe层临界厚度的研究 | 第36-46页 |
| ·实验过程 | 第36-37页 |
| ·实验结果 | 第37-41页 |
| ·分析与讨论 | 第41-44页 |
| ·临界厚度计算公式 | 第41-42页 |
| ·温度对临界厚度的影响 | 第42-43页 |
| ·与People和Bean实验值的比较 | 第43-44页 |
| ·和Jingyun Huang理论值的比较 | 第44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 4 应变Si/应变Si_(0.77)Ge_(0.23)薄膜的生长 | 第46-55页 |
| ·实验方案 | 第47-48页 |
| ·应变Si层的厚度 | 第47页 |
| ·实验过程 | 第47-48页 |
| ·实验结果与讨论 | 第48-54页 |
| ·应变Si_(0.77)Ge_(0.23)薄膜的生长 | 第48-52页 |
| ·应变Si/应变Si_(0.77)Ge_(0.23)薄膜的生长 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 5 应变Si/应变Si_(0.77)Ge_(0.23)薄膜的测试 | 第55-59页 |
| ·实验方案 | 第55页 |
| ·实验结果与讨论 | 第55-58页 |
| ·热退火对应变Si/应变Si_(0.77)Ge_(0.23)薄膜质量的影响 | 第56-57页 |
| ·应变Si/应变Si_(0.77)Ge_(0.23)薄膜热退火行为分析 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 结论 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
