| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·立题背景 | 第9-10页 |
| ·太阳能级多晶硅的制备工艺 | 第10-14页 |
| ·化学法 | 第10-12页 |
| ·冶金法 | 第12-14页 |
| ·电子束熔炼 | 第14-17页 |
| ·电子束熔炼设备 | 第15页 |
| ·电子束熔炼原理 | 第15-17页 |
| ·本文研究的主要目的和内容 | 第17-18页 |
| 2 电子束熔炼提纯多晶硅过程中的能量传输 | 第18-33页 |
| ·概述 | 第18页 |
| ·影响电子束熔炼提纯多晶硅的过程中硅熔体温度分布的因素 | 第18-20页 |
| ·热传导 | 第18-19页 |
| ·热辐射 | 第19-20页 |
| ·对流 | 第20页 |
| ·电子束熔炼提纯多晶硅过程中硅熔体和铜坩埚的热量交换 | 第20-32页 |
| ·硅-铜接触热阻的理论模型的建立 | 第20-28页 |
| ·温度和压强对硅-铜接触热阻的影响 | 第28-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 3 电子束熔炼提纯多晶硅中硅熔体温度分布及熔体流动 | 第33-42页 |
| ·概述 | 第33页 |
| ·电子束熔炼提纯多晶硅中硅熔体的温度场 | 第33-38页 |
| ·硅熔体的温度场模型的建立 | 第33-36页 |
| ·熔体表面温度分布 | 第36-38页 |
| ·电子束熔炼参数对熔体流动的影响 | 第38-41页 |
| ·电子束扫描半径对熔体流动的影响 | 第38-40页 |
| ·电子束功率对熔体流动的影响 | 第40-41页 |
| ·熔体流动在电子束提纯多晶硅中的作用 | 第41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 4 电子束熔炼提纯多晶硅中的能量利用 | 第42-60页 |
| ·概述 | 第42页 |
| ·电子束熔炼提纯多晶硅中能耗模型的建立 | 第42-45页 |
| ·硅的蒸发 | 第42-43页 |
| ·杂质的蒸发 | 第43-44页 |
| ·能耗 | 第44-45页 |
| ·电子束熔炼提纯多晶硅中工艺参数的优化 | 第45-49页 |
| ·水冷铜坩埚安全运行 | 第45-46页 |
| ·整体硅料达到预期提纯效果 | 第46-47页 |
| ·熔炼过程能耗最低 | 第47页 |
| ·工艺优化结果 | 第47-49页 |
| ·电子束熔炼多晶硅用高效低能坩埚的设计 | 第49-57页 |
| ·高效熔炼坩埚形状的优化 | 第49-51页 |
| ·优化结果 | 第51-54页 |
| ·高效熔炼坩埚参数的优化 | 第54页 |
| ·优化结果 | 第54-57页 |
| ·电子束熔炼多晶硅过程中辐射拦截再利用 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
