| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 第一章 前言 | 第12-14页 |
| ·研究的背景与意义 | 第12-13页 |
| ·本研究的目的 | 第13页 |
| ·本研究的结构安排 | 第13-14页 |
| 第二章 文献综述 | 第14-28页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·直拉硅单晶中的空洞型缺陷 | 第15-19页 |
| ·空洞型缺陷概述 | 第15-17页 |
| ·空洞型缺陷的形成 | 第17页 |
| ·空洞型缺陷的控制和消除 | 第17-19页 |
| ·直拉硅单晶中铜的基本性质 | 第19-28页 |
| ·铜的扩散 | 第19-20页 |
| ·铜的固溶度 | 第20-22页 |
| ·铜在硅中的沉淀反应 | 第22-28页 |
| 第三章 实验样品和研究方法 | 第28-34页 |
| ·实验样品和样品制备 | 第28-29页 |
| ·实验样品：重掺、轻掺硅片,外延硅片 | 第28页 |
| ·样品制备 | 第28-29页 |
| ·研究方法 | 第29-34页 |
| ·热处理设备-扩散热处理炉 | 第29页 |
| ·测试方法与设备 | 第29-34页 |
| 第四章 显示重掺N型直拉硅单晶中空洞型缺陷的腐蚀液 | 第34-40页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·实验 | 第34-35页 |
| ·改良的Secco腐蚀液(0.1M K_2Cr_2O_7：40%HF=1：2)对重掺N型直拉硅单晶中空洞型缺陷的腐蚀效果 | 第35-36页 |
| ·CrO_3-HF-H_2O体系的腐蚀液对重掺N型直拉硅单晶中空洞型缺陷的腐蚀效果 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第五章 显示重掺P型直拉硅单晶中空洞型缺陷的腐蚀液 | 第40-50页 |
| ·引言 | 第40页 |
| ·实验 | 第40-41页 |
| ·改良的Secco腐蚀液(0.0375M K_2Cr_2O_7：40%HF=1：2)对重掺P型直拉硅单晶中空洞型缺陷的腐蚀效果 | 第41-42页 |
| ·CrO_3-HF-H_2O体系的腐蚀液对重掺P型直拉硅单晶中空洞型缺陷的腐蚀效果 | 第42-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第六章 一种显示和检测直拉硅片中空洞型缺陷的方法 | 第50-60页 |
| ·引言 | 第50-52页 |
| ·实验 | 第52页 |
| ·铜沉淀结合择优腐蚀显示直拉硅单晶中的空洞型缺陷 | 第52-59页 |
| ·多面体结构的铜沉淀 | 第52-54页 |
| ·通过铜在不同硅片中不同的沉淀形貌来证明多面体结构的铜沉淀对应于空洞型缺陷 | 第54-55页 |
| ·通过扫面红外显微镜(SIRM)或者扫描电子显微镜(SEM)观察多面体结构的沉淀 | 第55-57页 |
| ·铜沉淀结合择优腐蚀显示和检测直拉硅片中空洞型缺陷的示意图 | 第57-58页 |
| ·铜缀饰结合择优腐蚀显示和检测直拉硅片中空洞型缺陷的应用 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第七章 总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 个人简历 | 第72-74页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第74页 |
