| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第7-21页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| ·硅及硅(001)表面结构 | 第8-10页 |
| ·薄膜生长过程 | 第10-14页 |
| ·吸附过程 | 第11-12页 |
| ·扩散过程 | 第12-14页 |
| ·形核与生长过程 | 第14页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第14-16页 |
| ·物理气相沉积(PVD)方法 | 第14-16页 |
| ·化学气相淀积(CVD)方法 | 第16页 |
| ·薄膜的表面分析技术及理论研究方法 | 第16-19页 |
| ·表面分析技术 | 第16-17页 |
| ·理论研究方法 | 第17-19页 |
| ·蒙特卡罗(MC)方法 | 第18-19页 |
| ·分子动力学(MD)方法 | 第19页 |
| ·最新的研究进展 | 第19-20页 |
| ·本论文的研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 分子动力学方法原理及主要技术 | 第21-32页 |
| 引言 | 第21页 |
| ·分子动力学的发展历史 | 第21-22页 |
| ·分子动力学方法基本原理 | 第22-28页 |
| ·牛顿运动方程 | 第23页 |
| ·原子间相互作用势 | 第23-26页 |
| ·Lennard-Jones(LJ)势 | 第24页 |
| ·Morse势 | 第24页 |
| ·Born-Mayer-Haggins(BMH)势 | 第24-25页 |
| ·Embeded Atom Method(EAM势) | 第25页 |
| ·Stillinger-Weber势(SW势) | 第25页 |
| ·Tersoff势和Brenner势 | 第25-26页 |
| ·边界条件 | 第26页 |
| ·数值算法 | 第26-28页 |
| ·实际模拟中用到的关键技术 | 第28-31页 |
| ·体系中粒子的初始位置和初始速度 | 第28-29页 |
| ·周期性边界条件中力的处理 | 第29-30页 |
| ·时间步长的选择 | 第30页 |
| ·温度(能量)的控制 | 第30-31页 |
| 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 Si(001)表面的重构 | 第32-41页 |
| 引言 | 第32页 |
| ·模型和参数 | 第32-33页 |
| ·结果与讨论 | 第33-40页 |
| ·不同模拟时间的Si(001)表面重构 | 第34-37页 |
| ·不同温度的Si(001)表面重构 | 第37-39页 |
| ·系统温度和能量的变化 | 第39-40页 |
| 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 单个低能入射Si原子与Si(001)表面的相互作用过程 | 第41-56页 |
| 引言 | 第41页 |
| ·单个Si原子与Si(001)2×1重构表面的相互作用 | 第41-50页 |
| ·模型 | 第41-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-50页 |
| ·位置1入射 | 第43-44页 |
| ·位置2入射 | 第44-45页 |
| ·位置3入射 | 第45-46页 |
| ·位置4入射 | 第46-47页 |
| ·位置5入射 | 第47页 |
| ·位置6入射 | 第47-48页 |
| ·位置6入射时衬底二聚体键的断开过程 | 第48-50页 |
| ·单个Si原子与Si(001)未重构表面的相互作用 | 第50-54页 |
| ·模型 | 第50-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-54页 |
| ·位置1入射 | 第51-52页 |
| ·位置2入射 | 第52-53页 |
| ·位置3入射 | 第53-54页 |
| 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 Si原子在Si(001)2×1重构表面的沉积过程 | 第56-70页 |
| 引言 | 第56页 |
| ·不同温度对Si原子沉积过程的影响 | 第56-61页 |
| ·模型 | 第56-57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-61页 |
| ·不同入射能量对Si原子沉积过程的影响 | 第61-66页 |
| ·模型 | 第61-62页 |
| ·结果与讨论 | 第62-66页 |
| ·入射原子与衬底原子的替换 | 第66-68页 |
| 本章小结 | 第68-70页 |
| 第六章 结论 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 附录:发表论文及参加的科研项目 | 第75-76页 |
