| 第一章 引言 | 第1-13页 |
| ·本课题研究的背景、目的和意义 | 第7页 |
| ·薄膜力学性能研究的概述 | 第7-11页 |
| ·纳米压入法 | 第8-9页 |
| ·单轴拉伸法 | 第9-10页 |
| ·基底弯曲法 | 第10-11页 |
| ·圆盘法 | 第10页 |
| ·悬臂梁法 | 第10-11页 |
| ·本课题的阐述和本文的内容 | 第11-13页 |
| 第二章 微旋转结构法测量薄膜的残余应力 | 第13-28页 |
| ·微旋转结构法的测量原理 | 第13-14页 |
| ·有限元ANSYS 软件的仿真和结构的设计 | 第14-23页 |
| ·有限元ANSYS 软件的介绍 | 第14-15页 |
| ·有限元ANSYS 仿真 | 第15-21页 |
| ·偏移量δ与残余应力σ关系 | 第15-16页 |
| ·偏移量δ与梁的长度(Lf、Lr)的关系 | 第16-18页 |
| ·梁的宽度( W_f、W_r)对灵敏因子f0 的影响 | 第18-19页 |
| ·颈部的长、宽(a、b)以及颈部间距离h 对f_0 的影响 | 第19-21页 |
| ·微旋转结构的设计 | 第21-23页 |
| ·微测试结构的制作和残余应力的测量 | 第23-26页 |
| ·实验方法 | 第24-25页 |
| ·测试的结果和分析 | 第25-26页 |
| ·微旋转结构法的局限性 | 第26-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第三章 氮化硅薄膜力学性能的研究 | 第28-40页 |
| ·实验方法 | 第28页 |
| ·工艺参数对残余应力的影响 | 第28-34页 |
| ·沉积温度对残余应力的影响 | 第29-30页 |
| ·射频功率对残余应力的影响 | 第30-32页 |
| ·反应气体流量比对残余应力的影响 | 第32-34页 |
| ·反应气压对残余应力的影响 | 第34页 |
| ·工艺参数对弹性模量E 和硬度H 的影响 | 第34-38页 |
| ·工艺参数对薄膜弹性模量E 的影响 | 第36-37页 |
| ·工艺参数对薄膜硬度H 的影响 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 氮化硅薄膜在射频MEMS 开关中的应用 | 第40-47页 |
| ·工作原理 | 第40-41页 |
| ·射频MEMS 开关的制作工艺 | 第41-42页 |
| ·氮化硅薄膜的力学性能对器件性能的影响 | 第42-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第55页 |