| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| §1-1 前言 | 第9页 |
| §1-2 文献综述 | 第9-21页 |
| 1-2-1 直拉硅中的氧及在热过程中的行为 | 第9-13页 |
| 1-2-2 快速热退火技术及应用 | 第13-15页 |
| 1-2-3 直拉硅的中子辐照效应 | 第15-21页 |
| §1-3 本文研究的主要内容 | 第21-22页 |
| 第二章 实验过程 | 第22-27页 |
| §2-1 样品制备 | 第22-23页 |
| §2-2 热处理实验 | 第23-24页 |
| 2-2-1 常规热处理 | 第23页 |
| 2-2-2 快速热处理 | 第23-24页 |
| §2-3 缺陷的腐蚀 | 第24-25页 |
| §2-4 傅立叶红外光谱仪（FTIR） | 第25-27页 |
| 第三章 快中子辐照直拉硅中辐照缺陷在退火过程中的转化机制 | 第27-42页 |
| §3-1 引言 | 第27页 |
| §3-2 实验过程 | 第27-28页 |
| §3-3 实验结果与讨论 | 第28-40页 |
| 3-3-1 快中子辐照在单晶硅中引入的亚稳态缺陷 | 第28-32页 |
| 3-3-2 快中子辐照直拉硅低温退火后间隙氧的研究 | 第32-34页 |
| 3-3-3 辐照缺陷对氧化诱生缺陷的影响 | 第34-40页 |
| §3-4 小结 | 第40-42页 |
| 第四章 快中子辐照在 MDZ 形成过程中的作用 | 第42-50页 |
| §4-1 引言 | 第42页 |
| §4-2 实验过程 | 第42-43页 |
| §4-3 实验结果和讨论 | 第43-49页 |
| §4-4 小结 | 第49-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 攻读硕士学位期间所取得的相关科研成果 | 第56页 |