| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·研究背景 | 第11-12页 |
| ·透明导电薄膜的种类及特点 | 第12-19页 |
| ·透明导电金属薄膜 | 第12-13页 |
| ·透明导电氧化物薄膜 | 第13-18页 |
| ·金属基复合多层透明导电薄膜 | 第18-19页 |
| ·透明导电薄膜的应用 | 第19-20页 |
| ·氧化锌透明导电薄膜研究现状 | 第20-21页 |
| ·D/M /D 结构透明导电薄膜研究现状 | 第21-22页 |
| ·本论文研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 材料的生长及表征技术 | 第23-37页 |
| ·材料的制备方法介绍 | 第23-26页 |
| ·溅射（sputtering） | 第23-24页 |
| ·溶胶凝胶法（Sol-Gel） | 第24页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第24-25页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD） | 第25页 |
| ·金属有机化学气相沉积（MOCVD） | 第25-26页 |
| ·MOCVD 法生长 ZnO 薄膜 | 第26-31页 |
| ·MOCVD 生长系统 | 第26-29页 |
| ·生长源材料的选择 | 第29-31页 |
| ·样品的分析与表征手段 | 第31-37页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第31-33页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第33-34页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第34页 |
| ·紫外可见分光光度计 | 第34-35页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第35页 |
| ·霍尔效应测试（Hall Effect） | 第35-37页 |
| 第三章 ZnO/Ag/ZnO 多层膜的生长、优化及特性研究 | 第37-51页 |
| ·ZnO 薄膜的制备与优化 | 第37-43页 |
| ·MOCVD 制备 ZnO 薄膜 | 第37-39页 |
| ·ZnO 薄膜的生长温度优化 | 第39-43页 |
| ·金属 Ag 薄膜的制备及表征 | 第43-46页 |
| ·磁控溅射制备金属 Ag 薄膜的工艺流程 | 第43-45页 |
| ·退火温度对 Ag 薄膜光学性能的影响 | 第45-46页 |
| ·ZnO/Ag/ZnO 多层膜的制备及特性表征 | 第46-49页 |
| ·Ag 层退火温度对多层膜的结构特性的影响 | 第47-48页 |
| ·Ag 层退火温度对多层膜电学性能的影响 | 第48-49页 |
| ·Ag 层退火温度对多层膜光学性能的影响 | 第49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 ZnO/Au/ZnO 多层膜的生长、优化及特性研究 | 第51-58页 |
| ·ZnO/Au/ZnO 多层膜的制备 | 第51-57页 |
| ·Au 层退火温度对多层膜表面形貌的影响 | 第52-53页 |
| ·Au 层退火温度对多层膜结构特性的影响 | 第53-55页 |
| ·Au 层退火温度对多层膜电学特性的影响 | 第55-56页 |
| ·Au 层退火温度对多层膜光学特性的影响 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 总结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-66页 |
| 作者简介及科研成果 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |