| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-23页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·ZnO | 第12-15页 |
| ·ZnO 的结构 | 第13页 |
| ·ZnO 在光电方面的优点 | 第13-14页 |
| ·ZnO 的研究进展 | 第14-15页 |
| ·NiO | 第15-16页 |
| ·NiO 的结构 | 第15页 |
| ·NiO 材料的应用 | 第15-16页 |
| ·PLD 法制备 NiO 薄膜的研究进展 | 第16页 |
| ·Cu_2ZnSnS_4（ CZTS） | 第16-17页 |
| ·CZTS 结构 | 第16-17页 |
| ·CZTS 的研究进展 | 第17页 |
| ·pn 结 | 第17-19页 |
| ·pn 结的应用 | 第18页 |
| ·pn 结的发展 | 第18-19页 |
| ·晶体二极管的基本原理 | 第19-20页 |
| ·整流特性 | 第19-20页 |
| ·击穿特性 | 第20页 |
| ·太阳能电池的基本原理 | 第20-22页 |
| ·本论文主要内容 | 第22-23页 |
| 第二章 薄膜的沉积技术与表征手段 | 第23-32页 |
| ·脉冲激光沉积（ PLD ）技术 | 第23-27页 |
| ·PLD 原理 | 第24-25页 |
| ·脉冲激光沉积的优缺点 | 第25-26页 |
| ·PLD 法制备 ZnO 薄膜的发展 | 第26-27页 |
| ·实验所用的脉冲激光沉积设备 | 第27页 |
| ·磁控溅射（ Magnetron Sputtering） | 第27-28页 |
| ·磁控溅射原理 | 第27-28页 |
| ·磁控溅射的优点 | 第28页 |
| ·实验所用磁控溅射设备 | 第28页 |
| ·电子束蒸发（ Electron Beam Evaporation） | 第28-29页 |
| ·电子束蒸发的优缺点 | 第28-29页 |
| ·实验所用电子束蒸发设备 | 第29页 |
| ·薄膜和器件的表征手段 | 第29-32页 |
| ·X 射线衍射（ X-ray diffraction） | 第29-30页 |
| ·原子力显微镜（ Atomic Force Microscope） | 第30页 |
| ·扫描电子显微镜 ( Scanning Electron Microscope) | 第30-31页 |
| ·电学特性测试 | 第31页 |
| ·四探针测试 | 第31-32页 |
| 第三章 ZnO、 NiO 和 CZTS 薄膜的制备 | 第32-40页 |
| ·靶材的制备 | 第32-33页 |
| ·ZnO 和 NiO 靶材的制备 | 第32页 |
| ·CZTS 靶材的制备 | 第32-33页 |
| ·靶材的表征 | 第33-34页 |
| ·Si 基片上制备 ZnO 薄膜 | 第34-35页 |
| ·Si 基片上沉积 NiO 薄膜 | 第35-36页 |
| ·Si 基片上沉积 CZTS 薄膜 | 第36-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 NiO/ZnO 异质结器件的制备 | 第40-48页 |
| ·金属与半导体的接触理论 | 第40-41页 |
| ·电极的制备 | 第41-43页 |
| ·器件的结构 | 第43-44页 |
| ·器件的制备 | 第44页 |
| ·四探针测试 | 第44-45页 |
| ·ZnO 层的表面形貌 | 第45-46页 |
| ·器件的 I - V 测试 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 CZTS/ZnO 异质结器件的制备 | 第48-56页 |
| ·电极的制备 | 第48页 |
| ·CZTS/ZnO 结构 | 第48-51页 |
| ·CZTS/ZnO/AZO 结构 | 第51-55页 |
| ·ZnO 薄膜层沉积 30 min | 第51-52页 |
| ·ZnO 薄膜层沉积 15 min | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第61-62页 |
