| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| CONTENTS | 第10-12页 |
| 图表目录 | 第12-14页 |
| 主要符号表 | 第14-15页 |
| 1 绪论 | 第15-28页 |
| ·背景和意义 | 第15-17页 |
| ·半导体材料的基础知识 | 第15页 |
| ·半导体材料的发光现象 | 第15-16页 |
| ·短波长发光二极管和激光器 | 第16-17页 |
| ·ZnO材料的基本性质和应用 | 第17-20页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第17-19页 |
| ·ZnO材料在光电领域的应用 | 第19-20页 |
| ·ZnO材料的研究进展 | 第20-26页 |
| ·ZnO材料掺杂的机理和进展 | 第20-22页 |
| ·ZnO中的本征缺陷 | 第22-23页 |
| ·ZnO光电器件的研究现状 | 第23-26页 |
| ·本文主要研究内容与思路 | 第26-28页 |
| 2 生长ZnO薄膜所用的MOCVD设备及表征方法 | 第28-47页 |
| ·金属有机物化学气相沉积法(MOCVD) | 第28-34页 |
| ·氧化物MOCVD设备 | 第29-31页 |
| ·金属有机源 | 第31-32页 |
| ·衬底选用 | 第32-34页 |
| ·ZnO薄膜研究中使用的主要表征手段 | 第34-47页 |
| ·晶体取向、质量表征技术：X射线衍射(X-ray Diffraction,XRD) | 第34-35页 |
| ·光学特性表征技术：光致发光谱(Photoluminescence)和紫外-可见分光光度计 | 第35-42页 |
| ·电学特性表征技术：霍尔效应测试(Hall Effect Measurement) | 第42-44页 |
| ·形貌表征技术：扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,SEM) | 第44-45页 |
| ·化学价态测试技术：X射线光电子能谱(X-ray PhotoelectronSpectroscopy, XPS) | 第45-46页 |
| ·其他测试设备 | 第46-47页 |
| 3 ZnO薄膜Ga掺杂及物理机理研究 | 第47-53页 |
| ·ZnO薄膜Ga掺杂研究进展 | 第47-48页 |
| ·Ga掺杂对ZnO基本性质的影响 | 第48-51页 |
| ·Ga掺杂对ZnO性质影响的机理分析 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 4 ZnO薄膜Cu掺杂及物理机理研究 | 第53-59页 |
| ·ZnO薄膜Cu掺杂研究进展 | 第53页 |
| ·Cu掺杂对ZnO薄膜基本性质的影响 | 第53-58页 |
| ·Cu掺杂对ZnO薄膜基本性质影响的机理分析 | 第58页 |
| ·本章总结 | 第58-59页 |
| 5 ZnO薄膜Cu-Ga共掺及其物理机理分析 | 第59-66页 |
| ·ZnO薄膜Cu-Ga共掺的研究进展 | 第59-61页 |
| ·Cu-Ga共掺对ZnO薄膜基本性质的影响 | 第61-64页 |
| ·Cu-Ga共掺对ZnO薄膜性质影响的物理机理分析 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 6 ZnO发光二极管的制备和测试分析 | 第66-89页 |
| ·p-ZnO/ZnO单晶制备的p-n同质结发光二极管的制备过程 | 第66-73页 |
| ·控制MOCVD腔体压力对ZnO薄膜质量的改善 | 第66-72页 |
| ·同质结发光二极管的测试分析 | 第72-73页 |
| ·异质结发光二极管的制备和测试分析 | 第73-87页 |
| ·ZnO/SiO_2/p-GaN异质结发光二极管的制备和测试分析 | 第73-78页 |
| ·ZnO/Ga_2O_3/p-GaN异质结发光二极管的制备和测试分析 | 第78-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 7 结论与展望 | 第89-91页 |
| 创新点摘要 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-102页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第102-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 作者简介 | 第104-105页 |
