| 目录 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 概述 | 第10-16页 |
| ·Ga_2O_3的基本结构 | 第10-11页 |
| ·氧化镓材料的基本性质 | 第11页 |
| ·Ga_2O_3的应用及前景 | 第11-13页 |
| ·薄膜制备方法 | 第13页 |
| ·本论文的内容及安排 | 第13-16页 |
| 第二章 样品的制备和测试分析 | 第16-22页 |
| ·实验设备 | 第16-19页 |
| ·薄膜分析手段 | 第19-22页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）和附带的能量散射X射线谱（EDS） | 第19页 |
| ·X射线衍射（XRD） | 第19页 |
| ·紫外透射谱 | 第19-20页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第20页 |
| ·拉曼谱（RAMAN） | 第20页 |
| ·X射线光电子谱（XPS） | 第20-22页 |
| 第三章 β-Ga_2O_3薄膜的制备 | 第22-28页 |
| ·制备薄膜的条件 | 第22页 |
| ·实验结果与分析 | 第22-27页 |
| ·衬底退火对氧化镓薄膜结晶质量的影响 | 第22-23页 |
| ·氧分压对氧化镓薄膜的影响 | 第23-25页 |
| ·脉冲能量对氧化镓薄膜的影响 | 第25-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第四章 Ga_2O_3/ZnO/Ga_2O_3复合薄膜的制备及其与Ga_2O_3薄膜的性质比较 | 第28-34页 |
| ·实验部分: | 第28页 |
| ·实验结果分析： | 第28-32页 |
| ·XRD分析 | 第28-30页 |
| ·PL谱分析 | 第30页 |
| ·Raman分析 | 第30-32页 |
| ·XPS分析 | 第32页 |
| ·结论 | 第32-34页 |
| 第五章 掺Sn氧化镓薄膜的制备 | 第34-42页 |
| ·实验部分 | 第34页 |
| ·实验结果与讨论 | 第34-41页 |
| ·薄膜的XRD分析 | 第34-35页 |
| ·表面形貌分析 | 第35-37页 |
| ·XPS结果分析 | 第37-38页 |
| ·紫外透射谱的分析 | 第38-40页 |
| ·拉曼普分析 | 第40-41页 |
| ·霍尔效应的分析 | 第41页 |
| ·结论 | 第41-42页 |
| 第六章 掺Cu氧化镓薄膜的制备 | 第42-50页 |
| ·实验部分 | 第42-43页 |
| ·实验结果与讨论 | 第43-48页 |
| ·薄膜的XRD分析 | 第43-44页 |
| ·薄膜的SEM分析 | 第44-45页 |
| ·薄膜的拉曼分析 | 第45-46页 |
| ·紫外透射谱的分析 | 第46-48页 |
| ·结论 | 第48-50页 |
| 第七章 结论 | 第50-52页 |
| ·本论文的主要研究成果 | 第50页 |
| ·对今后研究工作的建议 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表的文章 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58页 |