阻变存储器用NiO薄膜的制备与性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·新型非挥发性存储器 | 第10-17页 |
| ·铁电存储器(FRAM) | 第10-12页 |
| ·磁存储器(MRAM) | 第12-13页 |
| ·相变存储器(PRAM) | 第13-15页 |
| ·阻变存储器(RRAM) | 第15-17页 |
| ·RRAM的性能评估和研究现状 | 第17-20页 |
| ·RRAM的性能评估参数 | 第17-18页 |
| ·RRAM的研究现状 | 第18-20页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第20-22页 |
| 第二章 NiO薄膜的制备方法与结构性能表征手段 | 第22-30页 |
| ·NiO薄膜的脉冲激光沉积制备方法介绍 | 第22-23页 |
| ·NiO薄膜的后位退火方法 | 第23-24页 |
| ·NiO薄膜的结构形貌表征方法 | 第24-27页 |
| ·X射线衍射仪 | 第24-26页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第26-27页 |
| ·NiO薄膜的阻变特性测试 | 第27-30页 |
| ·顶电极的制备 | 第27-28页 |
| ·NiO薄膜的阻变性能测试 | 第28-30页 |
| 第三章 NiO薄膜的制备工艺与性能研究 | 第30-48页 |
| ·氧分压对薄膜结构的影响 | 第30-32页 |
| ·氧分压对薄膜性能的影响 | 第32-39页 |
| ·氧分压对薄膜初始状态的影响 | 第32-36页 |
| ·氧分压对薄膜阻变性质的影响 | 第36-39页 |
| ·厚度对薄膜阻变性能的影响 | 第39-41页 |
| ·退火温度对薄膜结构与阻变性能的影响 | 第41-43页 |
| ·NiO薄膜阻变特性的其他参数测试 | 第43-47页 |
| ·NiO薄膜的脉冲特性测试 | 第44-45页 |
| ·NiO薄膜的保持时间与抗疲劳特性测试 | 第45-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第四章 NiO薄膜阻变翻转的导电机理 | 第48-56页 |
| ·氧化物薄膜的阻变翻转导电机制 | 第48-51页 |
| ·导电细丝(CF)模型 | 第48-49页 |
| ·空间电荷限制电流效应 | 第49-50页 |
| ·肖特基发射效应 | 第50页 |
| ·普尔-法兰克发射 | 第50-51页 |
| ·NiO薄膜的导电机理探究 | 第51-54页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ曲线拟合 | 第51-52页 |
| ·多值阻变现象 | 第52-53页 |
| ·限制电流对薄膜性能的影响 | 第53-54页 |
| ·NiO薄膜的细丝导电机理 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第62页 |
