AZO薄膜电学性质的导电原子力显微镜研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 1 ZnO综述 | 第10-18页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第10-11页 |
| ·ZnO的光学性质 | 第11页 |
| ·ZnO的电学性质 | 第11-12页 |
| ·ZnO的应用 | 第12-13页 |
| ·短波长光电子器件 | 第12页 |
| ·太阳能电池 | 第12-13页 |
| ·透明导电膜 | 第13页 |
| ·ZnO的制备技术 | 第13-16页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第13页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第13-14页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第14-15页 |
| ·磁控溅射 | 第15页 |
| ·溶胶—凝胶法(soe-gel) | 第15-16页 |
| ·Al掺杂ZnO薄膜的研究现状和应用前景 | 第16-18页 |
| 2 薄膜样品的制备及分析方法 | 第18-26页 |
| ·样品的制备方法 | 第18-21页 |
| ·射频磁控溅射技术基本原理 | 第18-21页 |
| ·薄膜的分析方法 | 第21-26页 |
| ·原子力显微镜 | 第21-22页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第22-23页 |
| ·透射光谱测量 | 第23-24页 |
| ·霍尔效应(Hall) | 第24-26页 |
| 3 Pt溥膜微观电学性能的研究 | 第26-34页 |
| ·原子力显微镜探针接触力的计算 | 第26-29页 |
| ·原子力显微镜探针接触力的计算 | 第26-27页 |
| ·导电原子力(C-AFM)测量原理 | 第27-28页 |
| ·扫描速率对电流图像的影响 | 第28-29页 |
| ·Pt薄膜样品的制备 | 第29页 |
| ·结果与分析 | 第29-33页 |
| ·Pt溥膜的结构测量 | 第29-31页 |
| ·Pt薄膜导电原子力(C-AFM)测量 | 第31页 |
| ·Pt薄膜定点I-V曲线的测量 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 4 AZO薄膜微观电学性能的研究 | 第34-45页 |
| ·AZO薄膜样品的制备 | 第34页 |
| ·结果与分析 | 第34-41页 |
| ·AZO薄膜透射光谱的测量 | 第34页 |
| ·AZO薄膜霍尔效应的测量 | 第34-35页 |
| ·AZO溥薄导电原子力(C-AFM)测量 | 第35-41页 |
| ·不同参考点对导电原子力测时的影响 | 第41-44页 |
| ·不同参考点对电流图像的影响 | 第41-42页 |
| ·不同参考点对I-V曲线的影响 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 5 氮气退火对AZO薄膜电学性能的影响 | 第45-51页 |
| ·氮气退火AZO薄膜霍尔效应的测量 | 第45页 |
| ·氮气退火AZO薄膜微观电学性能测试分析 | 第45-47页 |
| ·氮气退火AZO薄膜导电原子力测量 | 第45-46页 |
| ·氮气退火AZO薄膜定点I-V曲线的测量 | 第46-47页 |
| ·PLD法制备的AZO薄膜导电原子力测量 | 第47-50页 |
| ·样品制备方法 | 第48页 |
| ·AZO薄膜霍尔效应的测量 | 第48-49页 |
| ·PLD法制备的AZO薄膜导电原子测量 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
