镀铜玻璃衬底上GaN薄膜的低温制备及其性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-25页 |
| ·GaN的基本性质 | 第10-12页 |
| ·GaN的物理性质 | 第10-11页 |
| ·GaN的化学性质 | 第11-12页 |
| ·GaN的光学性质 | 第12页 |
| ·GaN的电学性质 | 第12页 |
| ·GaN在光电子器件方面的应用简介 | 第12-16页 |
| ·发光二极管(LED) | 第13-14页 |
| ·半导体激光器(LD) | 第14页 |
| ·紫外(UV)光电探测器 | 第14-15页 |
| ·太阳能电池 | 第15-16页 |
| ·GaN半导体材料的衬底选择 | 第16-20页 |
| ·α-Al_2O_3衬底 | 第17页 |
| ·SiC衬底 | 第17-18页 |
| ·Si衬底 | 第18页 |
| ·玻璃衬底 | 第18-19页 |
| ·金属衬底 | 第19-20页 |
| ·GaN材料的主要制备方法 | 第20-23页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第20-21页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第21-22页 |
| ·氢化物气相外延(HVPE) | 第22页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第22-23页 |
| ·本文研究的意义与研究内容 | 第23-25页 |
| 2 实验及表征方法 | 第25-34页 |
| ·实验设备 | 第25-29页 |
| ·JGP-450A型三靶磁控溅射设备 | 第25-26页 |
| ·ECR-PEMOCVD设备 | 第26-29页 |
| ·表征方法 | 第29-32页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED) | 第29-30页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第30-31页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第31页 |
| ·光致发光(PL)谱 | 第31页 |
| ·电流-电压(I-V)测试 | 第31-32页 |
| ·衬底的制备 | 第32-34页 |
| ·玻璃衬底的预处理 | 第32页 |
| ·Cu薄膜的制备 | 第32-34页 |
| 3 TMGa流量对GaN薄膜性能影响的研究 | 第34-41页 |
| ·不同TMGa流量的GaN薄膜制备工艺与参数 | 第34-35页 |
| ·结果与分析 | 第35-40页 |
| ·结构特性分析 | 第35-38页 |
| ·表面形貌分析 | 第38-39页 |
| ·PL谱分析 | 第39-40页 |
| ·I-V特性分析 | 第40页 |
| ·小结 | 第40-41页 |
| 4 沉积温度对GaN薄膜性能影响的研究 | 第41-49页 |
| ·不同沉积温度的GaN薄膜制备工艺与参数 | 第41页 |
| ·结果与分析 | 第41-48页 |
| ·结构特性分析 | 第41-44页 |
| ·表面形貌分析 | 第44-45页 |
| ·PL谱分析 | 第45-47页 |
| ·I-V特性分析 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
