| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| ·GaN的研究历史与发展方向 | 第9-10页 |
| ·GaN的基本性质 | 第10-13页 |
| ·GaN晶体结构的特性和物理性质 | 第10-12页 |
| ·GaN的化学性质 | 第12页 |
| ·GaN的光学性质 | 第12-13页 |
| ·GaN的电学性质 | 第13页 |
| ·GaN的制备技术 | 第13-14页 |
| ·GaN的衬底选择 | 第14-17页 |
| ·本文研究的意义和研究内容 | 第17-19页 |
| 2 实验设备与检测方法 | 第19-34页 |
| ·实验设备 | 第19-23页 |
| ·电子回旋共振(ECR)等离子体技术 | 第19-21页 |
| ·ECR-PEMOCVD设备 | 第21-23页 |
| ·薄膜的检测方法 | 第23-34页 |
| ·薄膜的结构分析 | 第23-28页 |
| ·薄膜表面形貌的表征 | 第28-29页 |
| ·薄膜的光学性能表征 | 第29-30页 |
| ·薄膜的电学测试原理及相关理论 | 第30-34页 |
| 3 石墨衬底上GaN薄膜的生长及其表征 | 第34-49页 |
| ·实验过程 | 第34-35页 |
| ·不同衬底温度对沉积GaN薄膜质量的结果与分析 | 第35-40页 |
| ·XRD测试分析 | 第35-38页 |
| ·SEM表面形貌研究 | 第38-39页 |
| ·PL光谱分析 | 第39-40页 |
| ·不同TMGa流量对沉积GaN薄膜质量的结果与分析 | 第40-44页 |
| ·XRD测试分析 | 第40-42页 |
| ·SEM表面形貌研究 | 第42-43页 |
| ·PL光谱分析 | 第43-44页 |
| ·I-V测试分析 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46-49页 |
| 4 不锈钢衬底上GaN薄膜的生长及其表征 | 第49-61页 |
| ·实验过程 | 第49-50页 |
| ·不同衬底温度对沉积GaN薄膜质量的结果与分析 | 第50-54页 |
| ·RHEED图像分析 | 第50-51页 |
| ·XRD测试分析 | 第51-53页 |
| ·SEM表面形貌研究 | 第53-54页 |
| ·不同TMGa流量对沉积GaN薄膜质量的结果与分析 | 第54-57页 |
| ·RHEED图像分析 | 第54-55页 |
| ·XRD测试分析 | 第55-56页 |
| ·SEM表面形貌研究 | 第56-57页 |
| ·不锈钢衬底上PL谱分析 | 第57-58页 |
| ·I-V测试分析 | 第58-59页 |
| ·小结 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |