| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 第一节 集成电路工艺中薄膜制备的方法以及重要性 | 第11-14页 |
| 一、 集成电路工艺 | 第11-13页 |
| 二、 薄膜材料的重要性 | 第13页 |
| 三、 BN 薄膜材料在功率集成电路中的潜在应用 | 第13-14页 |
| 第二节 BN 薄膜制备的方法 | 第14-25页 |
| 一、 物理方法（PVD） | 第15-22页 |
| 1. 热蒸发 | 第15-16页 |
| 2. 脉冲激光沉积-PLD（Pulsed laser deposition） | 第16页 |
| 3. 离子束辅助沉积-IBAD(Ion beam assisted deposition) | 第16-17页 |
| 4. 电子束蒸发（Electron beam evaporation） | 第17页 |
| 5. 溅射 | 第17-22页 |
| 二、 化学气相沉积技术（CVD） | 第22-23页 |
| 1. 等离子体增强化学气相沉积（PECVD） | 第22-23页 |
| 2. 微波等离子体 CVD （Microwave plasma CVD） | 第23页 |
| 3. 微波电子回旋共振 CVD（Electron cyclotron resonance CVD） | 第23页 |
| 三、 小结 | 第23-25页 |
| 第二章 BN 的结构性质与应用 | 第25-33页 |
| 第一节 引言 | 第25-27页 |
| 第二节 六角氮化硼（hBN） | 第27-28页 |
| 一、 hBN 的结构 | 第27页 |
| 二、 hBN 的性质 | 第27页 |
| 三、 hBN 的应用 | 第27-28页 |
| 第三节 立方氮化硼（cBN） | 第28-32页 |
| 一、 cBN 的结构 | 第28-29页 |
| 二、 cBN 的性质 | 第29-30页 |
| 三、 cBN 的应用 | 第30-32页 |
| 第四节 氮化硼薄膜制备中存在的问题 | 第32-33页 |
| 第三章 BN 薄膜的制备与薄膜的表征 | 第33-59页 |
| 第一节 BN 薄膜的制备 | 第33-36页 |
| 一、 磁控溅射系统 | 第33-35页 |
| 二、 实验材料准备与衬底的清洗 | 第35页 |
| 三、 制备 BN 薄膜的工艺参数 | 第35-36页 |
| 第二节 BN 薄膜的表征 | 第36-44页 |
| 一、 BN 薄膜的红外表征 | 第36-38页 |
| 1. FTIR 原理 | 第36页 |
| 2. FTIR 仪器结构与样品的测量 | 第36-37页 |
| 3. BN 薄膜的 FTIR 表征 | 第37-38页 |
| 二、 X 射线光电子能谱（XPS）分析 | 第38-41页 |
| 1. XPS 原理 | 第38-39页 |
| 2. 仪器结构 | 第39-41页 |
| 3. 样品制备与清洗 | 第41页 |
| 三、 半导体材料紫外吸收分析 | 第41-44页 |
| 第三节 沉积时间对于 BN 薄膜的影响 | 第44-51页 |
| 第四节 衬底温度对于 BN 薄膜制备的影响 | 第51-55页 |
| 第五节 退火对于 BN 薄膜的影响 | 第55-58页 |
| 第六节 小结 | 第58-59页 |
| 第四章 BN/Si 异质结特性 | 第59-69页 |
| 第一节 BN/Si 异质结整流特性 | 第59-63页 |
| 一、 引言 | 第59-61页 |
| 二、 BN-Si 异质结的电学特性的测量与分析 | 第61-63页 |
| 1. I-V 特性的测量与分析 | 第61-63页 |
| 第二节 BN 紫外吸收特性 | 第63-68页 |
| 第三节 小结 | 第68-69页 |
| 第五章 BN 单晶及薄膜材料的金属电极制备及金半接触特性研究 | 第69-78页 |
| 第一节 引言 | 第69-70页 |
| 第二节 肖特基接触与欧姆接触 | 第70-73页 |
| 一、 肖特基接触 | 第70-72页 |
| 二、 欧姆接触 | 第72-73页 |
| 第三节 cBN 单晶及薄膜材料的金属电极制备及金半接触特性测试分析 | 第73-77页 |
| 第四节 小结 | 第77-78页 |
| 第六章 总结 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
