| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| ·概述 | 第10页 |
| ·GaN的性质 | 第10-14页 |
| ·GaN的晶体结构 | 第10-12页 |
| ·GaN的物理性质 | 第12页 |
| ·GaN的化学性质 | 第12-13页 |
| ·GaN的光学性质 | 第13-14页 |
| ·GaN的电学性质 | 第14页 |
| ·衬底的选择 | 第14-16页 |
| ·α-Al_2O_3 | 第14页 |
| ·6H-SiC | 第14-15页 |
| ·Si | 第15-16页 |
| ·玻璃衬底 | 第16页 |
| ·其他衬底 | 第16页 |
| ·GaN的应用 | 第16-19页 |
| ·发光二极管(LED) | 第16-17页 |
| ·半导体激光器(LD) | 第17页 |
| ·紫外(UV)光电探测器 | 第17-18页 |
| ·微电子器件 | 第18-19页 |
| ·本章小结 | 第19-20页 |
| 2 GaN薄膜的外延模式和方法及其影响因素 | 第20-26页 |
| ·GaN薄膜的外延模式 | 第20-21页 |
| ·岛状生长(Volmer-Weber)模式 | 第21页 |
| ·层状生长(Frank-vander Merwe)模式 | 第21页 |
| ·层状-岛状(Stranski-Krastanov)生长模式 | 第21页 |
| ·GaN薄膜的生长方法 | 第21-24页 |
| ·氢化物气象外延(HVPE) | 第22-23页 |
| ·金属有机物气象沉积(MOCVD) | 第23-24页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第24页 |
| ·影响薄膜生长的因素 | 第24-25页 |
| ·衬底材料 | 第24页 |
| ·反应室真空度 | 第24页 |
| ·反应源的流速 | 第24-25页 |
| ·衬底温度 | 第25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 3 实验过程和表征方法 | 第26-36页 |
| ·实验设备 | 第26-30页 |
| ·磁控溅射设备 | 第26-27页 |
| ·ECR-PEMOCVD | 第27-30页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第30-34页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED) | 第30-32页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第32-33页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第33-34页 |
| ·拉曼光谱(Raman) | 第34页 |
| ·I-V特性测试 | 第34页 |
| ·样品制备 | 第34-35页 |
| ·玻璃衬底预处理 | 第34-35页 |
| ·钛薄膜的制备 | 第35页 |
| ·GaN薄膜的制备 | 第35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 4 不同TMGa流量对沉积GaN薄膜质量的影响 | 第36-43页 |
| ·不同TMGa流量下GaN薄膜的制备 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-42页 |
| ·RHEED图像分析 | 第37页 |
| ·XRD测试分析 | 第37-39页 |
| ·AFM图像分析 | 第39-40页 |
| ·Raman光谱分析 | 第40-41页 |
| ·I-V特性测试 | 第41-42页 |
| ·小结 | 第42-43页 |
| 5 不同氮化时间对沉积GaN薄膜质量的影响 | 第43-49页 |
| ·不同TMGa流量下GaN薄膜的制备 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-48页 |
| ·RHEED图像分析 | 第44页 |
| ·XRD测试分析 | 第44-46页 |
| ·AFM图像分析 | 第46-47页 |
| ·光学性能的分析(PL谱) | 第47页 |
| ·I-V特性测试 | 第47-48页 |
| ·小结 | 第48-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |