半导体火工桥用多晶硅薄膜的制备及性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 致谢 | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| ·半导体桥火工品及其应用 | 第14-16页 |
| ·多晶硅薄膜的性质、制备及应用 | 第16-19页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第19-20页 |
| 第二章 半导体火工桥 | 第20-30页 |
| ·等离子体 | 第20-25页 |
| ·等离子体定义 | 第20-23页 |
| ·等离子体的重要特征—德拜屏蔽 | 第23-25页 |
| ·半导体桥火工品的发火机理 | 第25-28页 |
| ·半导体桥的发火机理 | 第25页 |
| ·半导体桥等离子光谱 | 第25-27页 |
| ·半导体桥的热量传递机制 | 第27页 |
| ·半导体桥的能量耗散分布 | 第27-28页 |
| ·半导体桥火工品的研究进展和发展趋势 | 第28-29页 |
| ·国外研究进展 | 第28-29页 |
| ·国内研究进展 | 第29页 |
| ·发展趋势 | 第29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 多晶硅薄膜的制备 | 第30-41页 |
| ·氧化 | 第30-35页 |
| ·二氧化硅层的作用 | 第30-32页 |
| ·热氧化机制 | 第32-33页 |
| ·二氧化硅薄膜层的制备 | 第33-35页 |
| ·多晶硅薄膜的制备 | 第35-38页 |
| ·薄膜的生长过程 | 第35-36页 |
| ·多晶硅薄膜的制备 | 第36-38页 |
| ·影响多晶硅薄膜质量的因素 | 第38-40页 |
| ·氧沾污的原因和预防 | 第38页 |
| ·薄膜均匀性的控制 | 第38-39页 |
| ·薄膜“发雾”的分析 | 第39页 |
| ·LPCVD 设备的使用、保养和维护 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 多晶硅薄膜性能研究 | 第41-54页 |
| ·薄膜的表面形貌 | 第42-47页 |
| ·表面形貌的表征—原子力显微镜 | 第42-43页 |
| ·沉积温度对薄膜形貌的影响 | 第43-44页 |
| ·沉积压强对薄膜形貌的影响 | 第44-45页 |
| ·沉积时间对薄膜形貌的影响 | 第45-47页 |
| ·退火对薄膜形貌的影响 | 第47页 |
| ·薄膜的 XRD 分析 | 第47-50页 |
| ·薄膜结晶状态的研究—XRD | 第47-48页 |
| ·不同退火温度对薄膜结晶状态的影响 | 第48-49页 |
| ·不同膜厚对薄膜结晶状态的影响 | 第49-50页 |
| ·薄膜厚度 | 第50-52页 |
| ·薄膜厚度的测量—台阶法 | 第50页 |
| ·多晶硅薄膜的厚度 | 第50-52页 |
| ·多晶硅薄膜的电学特性 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结和展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第57-58页 |
