MOCVD生长ZnO的n、p型掺杂研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·ZnO 材料的性质 | 第11-14页 |
| ·ZnO 的结构特性 | 第11-12页 |
| ·ZnO 的光学特性 | 第12-13页 |
| ·ZnO 的电学特性 | 第13-14页 |
| ·ZnO 薄膜材料的应用 | 第14-16页 |
| ·紫外探测器 | 第14-15页 |
| ·透明导电膜 | 第15页 |
| ·发光器件 | 第15-16页 |
| ·ZnO 薄膜的 n、p 型掺杂 | 第16-20页 |
| ·ZnO 的 n 型掺杂方法 | 第16页 |
| ·ZnO 的 p 型掺杂方法 | 第16-18页 |
| ·ZnO 薄膜 n、p 型掺杂的研究现状 | 第18-20页 |
| ·本论文研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 ZnO 薄膜的制备方法及其表征技术 | 第21-30页 |
| ·ZnO 薄膜的生长方法 | 第21-23页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第21-22页 |
| ·分子束外延技术 | 第22页 |
| ·原子层外延 | 第22页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第22-23页 |
| ·溅射 | 第23页 |
| ·MOCVD 技术生长 ZnO 薄膜材料 | 第23-26页 |
| ·ZnO 薄膜生长 MOCVD 系统介绍 | 第24-26页 |
| ·薄膜材料的分析表征技术 | 第26-30页 |
| ·X 射线衍射 | 第26-27页 |
| ·光致发光谱 | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第28页 |
| ·霍尔(Hall)效应测试 | 第28-30页 |
| 第三章 非掺杂 ZnO 薄膜质量的优化 | 第30-40页 |
| ·生长温度对非掺杂 ZnO 薄膜的影响 | 第30-34页 |
| ·生长温度对非掺杂 ZnO 薄膜结晶质量的影响 | 第30-33页 |
| ·生长温度对非掺杂 ZnO 薄膜光学特性的影响 | 第33-34页 |
| ·缓冲层对非掺杂 ZnO 薄膜的影响 | 第34-38页 |
| ·缓冲层对非掺杂 ZnO 薄膜结晶质量的影响 | 第35-37页 |
| ·缓冲层对非掺杂 ZnO 薄膜光学特性的影响 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 n 型 ZnO 薄膜的制备及其特性研究 | 第40-51页 |
| ·生长温度对 ZnO:Ga 薄膜特性的影响 | 第40-44页 |
| ·生长温度对 ZnO:Ga 薄膜结晶质量的影响 | 第41-43页 |
| ·生长温度对 ZnO:Ga 薄膜电学特性的影响 | 第43-44页 |
| ·掺杂浓度对 ZnO:Ga 薄膜特性的影响 | 第44-49页 |
| ·掺杂浓度对 ZnO:Ga 薄膜结晶质量的影响 | 第45-47页 |
| ·掺杂浓度对 ZnO:Ga 薄膜电学特性的影响 | 第47-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 p 型 ZnO 薄膜的制备及其特性研究 | 第51-57页 |
| ·掺杂浓度对 ZnO:P 薄膜特性的影响 | 第51-55页 |
| ·掺杂浓度对 ZnO:P 薄膜结晶质量的影响 | 第51-53页 |
| ·掺杂浓度对 ZnO:P 薄膜电学特性的影响 | 第53-54页 |
| ·掺杂浓度为 ZnO:P 薄膜光学特性的影响 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
