化学气相沉积制备碳化硅过程的数值模拟
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 1 文献综述 | 第11-20页 |
| ·SiC结构及性质 | 第11-12页 |
| ·SiC制备技术 | 第12-15页 |
| ·SiC单晶的制备 | 第12-14页 |
| ·SiC外延层的制备 | 第14-15页 |
| ·CVD生长技术 | 第15-18页 |
| ·反应器 | 第15-17页 |
| ·反应气体 | 第17页 |
| ·衬底 | 第17页 |
| ·生长过程 | 第17-18页 |
| ·CVD过程模拟 | 第18-19页 |
| ·本论文的工作 | 第19-20页 |
| 2 CVD物理模型的建立 | 第20-35页 |
| ·几何模型 | 第20-21页 |
| ·控制方程 | 第21-30页 |
| ·质量守恒方程 | 第21-22页 |
| ·动量守恒方程 | 第22页 |
| ·能量守恒方程 | 第22-25页 |
| ·组分质量守恒方程 | 第25-30页 |
| ·控制方程的通用形式 | 第30页 |
| ·控制方程离散 | 第30-32页 |
| ·划分计算网格 | 第31页 |
| ·建立离散方程 | 第31-32页 |
| ·离散方程的求解 | 第32页 |
| ·离散格式 | 第32-33页 |
| ·中心差分离散格式 | 第32-33页 |
| ·二阶迎风离散格式 | 第33页 |
| ·QUICK离散格式 | 第33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 3 S40型基座反应器的数值模拟 | 第35-52页 |
| ·反应器参数 | 第35-36页 |
| ·流场 | 第36-40页 |
| ·压力分布 | 第36-37页 |
| ·温度分布 | 第37-38页 |
| ·密度分布 | 第38页 |
| ·速度分布 | 第38-40页 |
| ·H_2刻蚀 | 第40-42页 |
| ·刻蚀速率 | 第40-42页 |
| ·刻蚀反应 | 第42页 |
| ·沉积 | 第42-50页 |
| ·生长速率 | 第43-45页 |
| ·沉积反应 | 第45-48页 |
| ·沉积过程速控步骤分析 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 4 生长速率影响分析 | 第52-69页 |
| ·基座高度的影响 | 第52-54页 |
| ·气体流量的影响 | 第54-59页 |
| ·S40型反应器 | 第54-56页 |
| ·S30型反应器 | 第56-58页 |
| ·S20型反应器 | 第58-59页 |
| ·C/Si比的影响 | 第59-63页 |
| ·S40型反应器 | 第60-61页 |
| ·S30型反应器 | 第61-62页 |
| ·S20型反应器 | 第62-63页 |
| ·倾斜壁面的影响 | 第63-67页 |
| ·T40-20型反应器 | 第64-65页 |
| ·T30-10型反应器 | 第65-66页 |
| ·T20-10型反应器 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 附录A 气相组分动力学参数 | 第74-75页 |
| 附录B 气相反应列表 | 第75-76页 |
| 附录C 气相组分热力学参数 | 第76-77页 |
| 附录D 表面反应列表 | 第77-78页 |
| 附录E T型反应器基座内热源分布函数 | 第78-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
