镀银硅片衬底上低温沉积GaN薄膜的特性研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-18页 |
| ·GaN的基本特性 | 第10-12页 |
| ·GaN的物理特性 | 第10-11页 |
| ·GaN的化学特性 | 第11-12页 |
| ·GaN的电学特性 | 第12页 |
| ·GaN的光学特性 | 第12页 |
| ·GaN材料的应用 | 第12-14页 |
| ·衬底材料的选择 | 第14-16页 |
| ·蓝宝石(α-Al_2O_3)衬底 | 第14-15页 |
| ·Si衬底 | 第15页 |
| ·SiC衬底 | 第15-16页 |
| ·金属衬底GaN薄膜的研究进展及前景 | 第16-17页 |
| ·本文研究的意义与研究内容 | 第17-18页 |
| 2 GaN薄膜的生长概述 | 第18-22页 |
| ·薄膜生长的物理过程 | 第18页 |
| ·薄膜生长模式 | 第18-20页 |
| ·岛状生长模式 | 第19页 |
| ·层状生长模式 | 第19页 |
| ·混合状生长模式 | 第19-20页 |
| ·影响薄膜生长的主要因素 | 第20-22页 |
| ·沉积温度 | 第20页 |
| ·衬底材料 | 第20页 |
| ·反应源流速 | 第20页 |
| ·微波功率 | 第20-21页 |
| ·缓冲层 | 第21页 |
| ·反应室真空度 | 第21-22页 |
| 3 实验方法 | 第22-32页 |
| ·实验设备 | 第22-27页 |
| ·ECR-PEMOCVD技术 | 第22-24页 |
| ·ECR-PEMOCVD设备结构与特征 | 第24-27页 |
| ·样品表征方法 | 第27-32页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED) | 第27-28页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第28-29页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第29-30页 |
| ·电子扫描显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| ·半导体特性测试系统 | 第31-32页 |
| 4 实验结果与讨论 | 第32-46页 |
| ·实验步骤 | 第32-34页 |
| ·衬底的制备 | 第32页 |
| ·氢等离子体放电清洗和氮化 | 第32-33页 |
| ·缓冲层的生长 | 第33页 |
| ·GaN沉积层的生长 | 第33-34页 |
| ·不同TMGa流量对GaN薄膜质量的影响 | 第34-39页 |
| ·RHEED分析 | 第34-35页 |
| ·XRD分析 | 第35-37页 |
| ·AFM分析 | 第37-39页 |
| ·不同沉积温度对GaN薄膜质量的影响 | 第39-43页 |
| ·RHEED分析 | 第39-40页 |
| ·XRD分析 | 第40-42页 |
| ·SEM分析 | 第42-43页 |
| ·GaN薄膜电学特性分析 | 第43-45页 |
| ·GaN薄膜组分分析 | 第45-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-50页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
