| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| ·相变存储器背景介绍 | 第10-12页 |
| ·相变存储器发展概况 | 第10-11页 |
| ·相变存储器的工作原理 | 第11-12页 |
| ·硫系相变材料 | 第12-16页 |
| ·硫系相变材料研究概况 | 第13-14页 |
| ·Ge_2Sb_2Te_5结构概述 | 第14-16页 |
| ·改善相变材料相变特性的方法 | 第16-18页 |
| ·本文主要工作 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-23页 |
| 第二章 Si掺杂GeSbTe薄膜热致相变动力学研究 | 第23-51页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·薄膜制备与测试过程 | 第24-25页 |
| ·Si掺杂GeSbTe薄膜原位变温电阻测量与分析 | 第25-31页 |
| ·Si掺杂GeSbTe薄膜原位电阻随温度变化关系 | 第25-27页 |
| ·Si掺杂GeSbTe薄膜结晶激活能 | 第27-29页 |
| ·Si掺杂GeSbTe薄膜非晶电导激活能 | 第29-31页 |
| ·Si掺杂GeSbTe薄膜原位恒温电阻测量与分析 | 第31-46页 |
| ·Si掺杂GeSbTe薄膜原位恒温电阻变化关系 | 第31-35页 |
| ·Si掺杂GeSbTe薄膜结晶模型分析 | 第35-41页 |
| ·Si掺杂GeSbTe薄膜的JMAK曲线分析 | 第41-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-51页 |
| 第三章 Si掺杂GeSbTe薄膜的形貌表征与结构分析 | 第51-62页 |
| ·引言 | 第51-52页 |
| ·Si掺杂GeSbTe薄膜的AFM分析 | 第52-54页 |
| ·Si掺杂GeSbTe薄膜的TEM分析 | 第54-57页 |
| ·Si掺杂GeSbTe薄膜的拉曼光谱分析 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第四章 总结与展望 | 第62-64页 |
| ·总结 | 第62-63页 |
| ·展望 | 第63-64页 |
| 硕士阶段发表的工作 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |