| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| ·概述 | 第9页 |
| ·GaN的基本性质 | 第9-11页 |
| ·GaN的结构性质 | 第9-10页 |
| ·GaN的物理性质 | 第10页 |
| ·GaN的化学性质 | 第10-11页 |
| ·GaN的光学性质 | 第11页 |
| ·GaN的电学性质 | 第11页 |
| ·GaN薄膜材料的制备 | 第11-16页 |
| ·GaN薄膜生长衬底材料的选择 | 第11-13页 |
| ·GaN薄膜的生长技术 | 第13-16页 |
| ·GaN薄膜材料的应用 | 第16-19页 |
| ·GaN基光电器件 | 第16-18页 |
| ·GaN基电子器件 | 第18-19页 |
| ·本文研究意义和研究内容 | 第19-20页 |
| 2 实验设备及测试表征方法 | 第20-31页 |
| ·ECR-PEMOCVD设备 | 第20-23页 |
| ·ECR-PEMOCVD设备简介 | 第20页 |
| ·ECR系统工作原理 | 第20-21页 |
| ·ECR-PEMOCVD设备结构与特征 | 第21-23页 |
| ·测试表征方法 | 第23-28页 |
| ·反射式高能电子衍射(RHEED) | 第23-25页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第25-27页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第27-28页 |
| ·光致发光谱(PL谱) | 第28页 |
| ·电流-电压测试(I-V测试) | 第28页 |
| ·ITO导电玻璃衬底化学的清洗及热处理 | 第28-31页 |
| ·ITO导电玻璃衬底的化学清洗 | 第28-29页 |
| ·ITO导电玻璃衬底的热处理 | 第29-31页 |
| 3 沉积温度对ITO导电玻璃衬底上沉积GaN薄膜性能的影响 | 第31-42页 |
| ·不同沉积温度下GaN薄膜制备 | 第31-32页 |
| ·结果与分析 | 第32-40页 |
| ·结晶质量分析 | 第32-35页 |
| ·表面形貌分析 | 第35-38页 |
| ·光学性能分析 | 第38-40页 |
| ·电学性能分析 | 第40页 |
| ·小结 | 第40-42页 |
| 4 N_2流量对ITO导电玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的性能影响 | 第42-52页 |
| ·不同N_2流量条件下GaN薄膜制备 | 第42-43页 |
| ·结果与分析 | 第43-50页 |
| ·结晶质量分析 | 第43-46页 |
| ·表面形貌分析 | 第46-47页 |
| ·光学性能分析 | 第47-49页 |
| ·电学性能分析 | 第49-50页 |
| ·小结 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |