| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| ·平板显示技术概述 | 第10-12页 |
| ·OLED的应用以及市场分析 | 第12-13页 |
| ·课题研究意义 | 第13-14页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第14-16页 |
| 第二章 ZnO TFT在AMOLED中的应用 | 第16-25页 |
| ·OLED的结构与发光原理 | 第16-17页 |
| ·OLED驱动技术 | 第17-20页 |
| ·被动矩阵驱动方式 | 第18-19页 |
| ·主动矩阵驱动技术 | 第19-20页 |
| ·TFT在AMOLED中的应用 | 第20-22页 |
| ·ZnO在TFT中的应用 | 第22-25页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第22-23页 |
| ·ZnO-TFT的发展前景 | 第23-25页 |
| 第三章 TFT各层薄膜的制备 | 第25-38页 |
| ·磁控溅射法 | 第25-27页 |
| ·薄膜厚度测试 | 第27-28页 |
| ·薄膜台阶的制备 | 第27页 |
| ·测试方法 | 第27-28页 |
| ·电极薄膜Al的制备 | 第28-31页 |
| ·有源层ZnO薄膜的制备 | 第31-37页 |
| ·样品制备 | 第31-32页 |
| ·衬底温度对ZnO晶体结构的影响 | 第32-33页 |
| ·氩氧比对ZnO晶体结构的影响 | 第33-35页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜光学性质的影响 | 第35-37页 |
| ·RF磁控溅射ZnO薄膜的表面形貌 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 ZnO-TFT的制备及性能研究 | 第38-63页 |
| ·TFT的结构设计 | 第38-40页 |
| ·底栅结构 | 第38-39页 |
| ·顶栅结构 | 第39页 |
| ·底接触结构 | 第39页 |
| ·顶接触结构 | 第39-40页 |
| ·TFT的特性分析 | 第40-43页 |
| ·TFT的工作特性 | 第40-42页 |
| ·线性区 | 第40-41页 |
| ·饱和区 | 第41-42页 |
| ·TFT中的主要影响参数 | 第42-43页 |
| ·底栅底接触型ZnO-TFT的制备 | 第43-54页 |
| ·衬底准备 | 第43-44页 |
| ·光刻工艺 | 第44-50页 |
| ·光刻胶 | 第44-45页 |
| ·光刻工艺的基本步骤 | 第45-47页 |
| ·光刻质量分析 | 第47-49页 |
| ·光刻剥离技术 | 第49-50页 |
| ·制备步骤 | 第50-51页 |
| ·电学性能测试 | 第51-53页 |
| ·性能分析 | 第53-54页 |
| ·底栅顶接触型ZnO-TFT的制备 | 第54-62页 |
| ·制备步骤 | 第54-56页 |
| ·有源层厚度对TFT性能的影响 | 第56-60页 |
| ·样品参数 | 第56-57页 |
| ·结果与分析 | 第57-60页 |
| ·TFT的稳定性分析 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 基于TFT的AMOLED像素电路的参数设计 | 第63-71页 |
| ·四管像素电路的工作原理 | 第63-65页 |
| ·像素电路的参数设计 | 第65-70页 |
| ·源电压V_(DD)的要求 | 第65-66页 |
| ·驱动管宽长比的限制 | 第66-67页 |
| ·开关管T1、T2的工作限制 | 第67-68页 |
| ·存储电容CS的影响 | 第68页 |
| ·仿真和验证 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 结论 | 第71-73页 |
| ·结论 | 第71-72页 |
| ·存在的问题以及建议 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第78页 |