摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第8-26页 |
§1.1 研究背景 | 第8-9页 |
§1.2 透明导电薄膜 | 第9-17页 |
§1.2.1 透明导电薄膜研究进展 | 第9-12页 |
§1.2.2 透明导电氧化物薄膜基本特性 | 第12-13页 |
§1.2.3 透明导电薄膜的制备方法 | 第13-14页 |
§1.2.4 透明导电氧化物薄膜的应用 | 第14-17页 |
§1.3 ZnO的基本性质 | 第17-21页 |
§1.3.1 ZnO的晶体结构 | 第17-19页 |
§1.3.2 ZnO的本征点缺陷 | 第19-20页 |
§1.3.3 ZnO中的非故意掺杂 | 第20页 |
§1.3.4 ZnO材料的光电特性 | 第20-21页 |
§1.4 选题依据、研究意义以及创新点 | 第21-22页 |
参考文献 | 第22-26页 |
第二章 透明导电薄膜制造设备、工艺以及分析方法 | 第26-38页 |
§2.1 脉冲激光沉积原理概述 | 第26页 |
§2.2 脉冲激光沉积系统 | 第26-29页 |
§2.3 靶材与薄膜制备工艺 | 第29-32页 |
§2.3.1 靶材制备工艺 | 第29-31页 |
§2.3.2 薄膜制备工艺 | 第31-32页 |
§2.4 薄膜结构以及性能表征方法 | 第32-36页 |
§2.4.1 X射线衍射技术(XRD) | 第32-33页 |
§2.4.2 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第33页 |
§2.4.3 四探针测试仪 | 第33-34页 |
§2.4.4 紫外-可见(UV-VIS)分光光度计 | 第34-35页 |
§2.4.5 霍尔效应测试仪 | 第35-36页 |
参考文献 | 第36-38页 |
第三章 ZnO:Ga靶材的制备与性能研究 | 第38-46页 |
§3.1 引言 | 第38-39页 |
§3.2 ZnO:Ga靶材制备工艺 | 第39-42页 |
§3.2.1 工艺步骤 | 第39页 |
§3.2.2 成型压力的确定 | 第39-40页 |
§3.2.3 烧结工艺的优化 | 第40-42页 |
§3.3 ZnO:Ga靶材的性能表征 | 第42-44页 |
§3.3.1 靶材结晶性能 | 第42页 |
§3.3.2 靶材表面形貌 | 第42-43页 |
§3.3.3 靶材电学性能 | 第43-44页 |
§3.4 本章小结 | 第44页 |
参考文献 | 第44-46页 |
第四章 ZnO:Ga透明导电薄膜的制备与性能研究 | 第46-66页 |
§4.1 引言 | 第46页 |
§4.2 ZnO:Ga薄膜制备工艺 | 第46-48页 |
§4.3 衬底温度对ZnO:Ga薄膜的影响 | 第48-52页 |
§4.3.1 衬底温度对ZnO:Ga薄膜结构的影响 | 第48-50页 |
§4.3.2 衬底温度对ZnO:Ga薄膜表面的影响 | 第50页 |
§4.3.3 衬底温度对ZnO:Ga薄膜电学性能的影响 | 第50-51页 |
§4.3.4 衬底温度对ZnO:Ga薄膜光学性能的影响 | 第51-52页 |
§4.4 氧分压对ZnO:Ga薄膜的影响 | 第52-58页 |
§4.4.1 氧分压对ZnO:Ga薄膜结构的影响 | 第53-55页 |
§4.4.2 氧分压对ZnO:Ga薄膜表面形貌的影响 | 第55-56页 |
§4.4.3 氧分压对ZnO:Ga薄膜电学性能的影响 | 第56-57页 |
§4.4.4 氧分压对ZnO:Ga薄膜光学性能的影响 | 第57-58页 |
§4.5 退火温度对ZnO:Ga薄膜的影响 | 第58-63页 |
§4.5.1 退火温度对ZnO:Ga薄膜结构的影响 | 第58-60页 |
§4.5.2 退火温度对ZnO:Ga薄膜表面形貌的影响 | 第60-61页 |
§4.5.3 退火温度对ZnO:Ga薄膜电学性能的影响 | 第61-62页 |
§4.5.4 退火温度对ZnO:Ga薄膜光学性能的影响 | 第62-63页 |
§4.6 本章小结 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-66页 |
第五章 In-Nb共掺杂ZnO透明导电薄膜的制备与性能研究 | 第66-73页 |
§5.1 引言 | 第66页 |
§5.2 In-Nb共掺杂ZnO薄膜制备工艺 | 第66-67页 |
§5.3 In-Nb共掺杂ZnO薄膜性能研究 | 第67-70页 |
§5.3.1 薄膜结晶性能分析 | 第67-68页 |
§5.3.2 薄膜表面形貌分析 | 第68页 |
§5.3.3 薄膜电学性能分析 | 第68-69页 |
§5.3.4 薄膜光学性能分析 | 第69-70页 |
§5.4 本章小结 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-73页 |
第六章 工作总结和展望 | 第73-75页 |
硕士期间已发表的论文以及发明专利目录 | 第75-76页 |
致谢 | 第76-77页 |