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PLD法制备ZnO基透明导电薄膜及其性能研究

摘要第1-6页
Abstract第6-8页
第一章 绪论第8-26页
 §1.1 研究背景第8-9页
 §1.2 透明导电薄膜第9-17页
  §1.2.1 透明导电薄膜研究进展第9-12页
  §1.2.2 透明导电氧化物薄膜基本特性第12-13页
  §1.2.3 透明导电薄膜的制备方法第13-14页
  §1.2.4 透明导电氧化物薄膜的应用第14-17页
 §1.3 ZnO的基本性质第17-21页
  §1.3.1 ZnO的晶体结构第17-19页
  §1.3.2 ZnO的本征点缺陷第19-20页
  §1.3.3 ZnO中的非故意掺杂第20页
  §1.3.4 ZnO材料的光电特性第20-21页
 §1.4 选题依据、研究意义以及创新点第21-22页
 参考文献第22-26页
第二章 透明导电薄膜制造设备、工艺以及分析方法第26-38页
 §2.1 脉冲激光沉积原理概述第26页
 §2.2 脉冲激光沉积系统第26-29页
 §2.3 靶材与薄膜制备工艺第29-32页
  §2.3.1 靶材制备工艺第29-31页
  §2.3.2 薄膜制备工艺第31-32页
 §2.4 薄膜结构以及性能表征方法第32-36页
  §2.4.1 X射线衍射技术(XRD)第32-33页
  §2.4.2 场发射扫描电子显微镜(FESEM)第33页
  §2.4.3 四探针测试仪第33-34页
  §2.4.4 紫外-可见(UV-VIS)分光光度计第34-35页
  §2.4.5 霍尔效应测试仪第35-36页
 参考文献第36-38页
第三章 ZnO:Ga靶材的制备与性能研究第38-46页
 §3.1 引言第38-39页
 §3.2 ZnO:Ga靶材制备工艺第39-42页
  §3.2.1 工艺步骤第39页
  §3.2.2 成型压力的确定第39-40页
  §3.2.3 烧结工艺的优化第40-42页
 §3.3 ZnO:Ga靶材的性能表征第42-44页
  §3.3.1 靶材结晶性能第42页
  §3.3.2 靶材表面形貌第42-43页
  §3.3.3 靶材电学性能第43-44页
 §3.4 本章小结第44页
 参考文献第44-46页
第四章 ZnO:Ga透明导电薄膜的制备与性能研究第46-66页
 §4.1 引言第46页
 §4.2 ZnO:Ga薄膜制备工艺第46-48页
 §4.3 衬底温度对ZnO:Ga薄膜的影响第48-52页
  §4.3.1 衬底温度对ZnO:Ga薄膜结构的影响第48-50页
  §4.3.2 衬底温度对ZnO:Ga薄膜表面的影响第50页
  §4.3.3 衬底温度对ZnO:Ga薄膜电学性能的影响第50-51页
  §4.3.4 衬底温度对ZnO:Ga薄膜光学性能的影响第51-52页
 §4.4 氧分压对ZnO:Ga薄膜的影响第52-58页
  §4.4.1 氧分压对ZnO:Ga薄膜结构的影响第53-55页
  §4.4.2 氧分压对ZnO:Ga薄膜表面形貌的影响第55-56页
  §4.4.3 氧分压对ZnO:Ga薄膜电学性能的影响第56-57页
  §4.4.4 氧分压对ZnO:Ga薄膜光学性能的影响第57-58页
 §4.5 退火温度对ZnO:Ga薄膜的影响第58-63页
  §4.5.1 退火温度对ZnO:Ga薄膜结构的影响第58-60页
  §4.5.2 退火温度对ZnO:Ga薄膜表面形貌的影响第60-61页
  §4.5.3 退火温度对ZnO:Ga薄膜电学性能的影响第61-62页
  §4.5.4 退火温度对ZnO:Ga薄膜光学性能的影响第62-63页
 §4.6 本章小结第63-64页
 参考文献第64-66页
第五章 In-Nb共掺杂ZnO透明导电薄膜的制备与性能研究第66-73页
 §5.1 引言第66页
 §5.2 In-Nb共掺杂ZnO薄膜制备工艺第66-67页
 §5.3 In-Nb共掺杂ZnO薄膜性能研究第67-70页
  §5.3.1 薄膜结晶性能分析第67-68页
  §5.3.2 薄膜表面形貌分析第68页
  §5.3.3 薄膜电学性能分析第68-69页
  §5.3.4 薄膜光学性能分析第69-70页
 §5.4 本章小结第70-71页
 参考文献第71-73页
第六章 工作总结和展望第73-75页
硕士期间已发表的论文以及发明专利目录第75-76页
致谢第76-77页

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