| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·Ⅲ族氮化物的研究历程 | 第10-12页 |
| ·MOCVD法生长GaN过程中的在位监测 | 第12-14页 |
| ·分布式布拉格反射镜的应用 | 第14-15页 |
| ·论文结构 | 第15-16页 |
| 第二章 PECVD和MOCVD介绍 | 第16-24页 |
| ·CVD简介 | 第16页 |
| ·PECVD系统简介 | 第16-18页 |
| ·PECVD法制备Si_3N_4与SiO_2薄膜材料 | 第18-20页 |
| ·用PECVD方法制备Si_3N_4薄膜材料 | 第18-19页 |
| ·PECVD法制备SiO_2薄膜材料 | 第19-20页 |
| ·氮化物半导体材料的MOCVD生长技术 | 第20-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 设计垂直双光束干涉装置在位测量MOCVD外延薄膜中的应力 | 第24-36页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·应力的测量原理 | 第24-26页 |
| ·系统装置的设计 | 第26-27页 |
| ·粗糙度对于测量的影响分析 | 第27-29页 |
| ·光程差的计算 | 第29-33页 |
| ·设计说明 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 SiO_2/Si_3N_4 DBR的制备及其性质 | 第36-56页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·DBR光学原理 | 第37-39页 |
| ·SiO_2与Si_3N_4薄膜的制备 | 第39-43页 |
| ·SiO_2/Si_3N_4DBR的表征 | 第43-49页 |
| ·SiO_2/Si_3N_4DBR的XPS分析 | 第43-47页 |
| ·SiO_2/Si_3N_4DBR的SEM表征 | 第47-49页 |
| ·DBR的光谱性质 | 第49-55页 |
| ·材料对光的吸收 | 第49-50页 |
| ·DBR的光谱分析 | 第50-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
