| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-14页 |
| ·研究背景和研究意义 | 第10-11页 |
| ·相关的研究概况 | 第11-13页 |
| ·本论文的组织和结构 | 第13-14页 |
| 2 量子点的特性和自组装生长 | 第14-19页 |
| ·半导体量子点的特性 | 第14-15页 |
| ·量子点的自组装生长 | 第15-17页 |
| ·本章小结 | 第17-19页 |
| 3 MOCVD 外延系统与材料表征方法 | 第19-32页 |
| ·MOCVD 的概念和生长原理 | 第19-20页 |
| ·MOCVD 外延系统 | 第20-25页 |
| ·材料的表征设备和表征方法 | 第25-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 4 InAs/GaAs 量子点生长条件的初步探究 | 第32-40页 |
| ·InAs/GaAs 量子点基本条件的探究 | 第32-36页 |
| ·InAs/GaAs 量子点中大团簇的消去 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 5 生长条件对 InAs/GaAs 量子点的密度和尺寸影响的研究 | 第40-52页 |
| ·InAs 的生长温度对 InAs/GaAs 量子点的密度和尺寸的影响 | 第40-43页 |
| ·InAs 的沉积量对 InAs/GaAs 量子点的密度和尺寸的影响 | 第43-45页 |
| ·InAs 的 V/III 对 InAs/GaAs 量子点的密度和尺寸的影响 | 第45-48页 |
| ·量子点生长后中断时间对 InAs/GaAs 量子点的密度和尺寸的影响 | 第48-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 6 生长条件对 InAs/GaAs 量子点的成核位置和分布影响的研究 | 第52-63页 |
| ·InAs/GaAs 量子点成核位置研究 | 第52-56页 |
| ·InAs/GaAs 量子点的 PAI 方法生长和优化 | 第56-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 7 总结和展望 | 第63-65页 |
| ·全文总结 | 第63-64页 |
| ·研究展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 附录 1 攻读学位期间发表论文目录 | 第72页 |
