| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·GaN基材料与器件的研究现状 | 第11-20页 |
| ·GaN基材料的结构及性质 | 第14-17页 |
| ·GaN材料外延生长的衬底研究 | 第17-19页 |
| ·GaN材料的制备方法研究 | 第19-20页 |
| ·GaN与LiNbO_3的集成研究 | 第20-22页 |
| ·LiNbO_3材料概述 | 第20-21页 |
| ·LiNbO_3薄膜/GaN集成研究 | 第21页 |
| ·GaN薄膜/LiNbO_3单晶衬底集成研究 | 第21-22页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第22-24页 |
| 第二章 实验分析方法与原理 | 第24-34页 |
| ·GaN薄膜的制备方法 | 第24-25页 |
| ·L-MBE制备方法原理及特点 | 第24页 |
| ·实验所用L-MBE设备简介 | 第24-25页 |
| ·反射高能电子衍射(RHEED)的原位检测 | 第25-29页 |
| ·RHEED成像原理及特点 | 第25-27页 |
| ·RHEED衍射图像应用 | 第27-29页 |
| ·GaN薄膜的后位分析与表征方法 | 第29-32页 |
| ·原子力显微镜(AFM)分析 | 第29-30页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第30-31页 |
| ·X光电子能谱(XPS)分析 | 第31-32页 |
| ·GaN薄膜的光学性能检测 | 第32-34页 |
| ·光致发光(PL)光谱测试原理 | 第32-33页 |
| ·PL光谱分析与应用 | 第33-34页 |
| 第三章 蓝宝石衬底上六方GaN薄膜外延生长研究 | 第34-54页 |
| ·工艺参数对GaN/蓝宝石集成结构的影响 | 第34-42页 |
| ·生长温度对GaN/蓝宝石集成结构的影响 | 第35-38页 |
| ·激光能量对GaN/蓝宝石集成结构的影响 | 第38-40页 |
| ·激光频率对GaN/蓝宝石集成结构的影响 | 第40-42页 |
| ·蓝宝石衬底上GaN薄膜外延生长行为的研究 | 第42-49页 |
| ·RHEED对GaN薄膜生长过程的原位检测 | 第42-44页 |
| ·GaN/蓝宝石集成晶格弛豫与界面应力研究 | 第44-45页 |
| ·GaN/蓝宝石集成生长行为研究 | 第45-49页 |
| ·蓝宝石衬底上变温GaN薄膜的生长研究 | 第49-53页 |
| ·本章总结 | 第53-54页 |
| 第四章 LiNbO_3铁电单晶衬底上六方GaN薄膜外延生长研究 | 第54-73页 |
| ·LiNbO_3衬底退火工艺的研究 | 第55-59页 |
| ·退火对LiNbO_3单晶衬底微观结构的影响 | 第55-57页 |
| ·退火对GaN/LiNbO_3集成结构的微观结构影响 | 第57-59页 |
| ·生长温度对GaN/LiNbO_3集成结构与性能的影响 | 第59-65页 |
| ·生长温度GaN/LiNbO_3集成的结构影响 | 第60-63页 |
| ·生长温度对GaN/LiNbO_3集成的光学性能影响 | 第63-65页 |
| ·LiNbO_3单晶衬底上GaN薄膜外延生长行为的研究 | 第65-71页 |
| ·RHEED对GaN薄膜生长过程的原位检测 | 第65-66页 |
| ·GaN/LiNbO_3集成外延关系的标定 | 第66-68页 |
| ·GaN/LiNbO_3集成晶格弛豫与界面应力研究 | 第68-69页 |
| ·低温制备GaN薄膜的生长行为研究 | 第69-71页 |
| ·本章总结 | 第71-73页 |
| 第五章 结论 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第81页 |
