| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·宽禁带半导体紫外探测器概述 | 第10-15页 |
| ·应用于紫外探测器的宽禁带半导体材料 | 第10-11页 |
| ·宽禁带半导体紫外探测器的基本类型和结构 | 第11-15页 |
| ·宽禁带半导体紫外探测器的研究现状 | 第15页 |
| ·In_2Ge_2O_7材料的提出及文献综述 | 第15-17页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 实验原理和实验装置介绍 | 第18-27页 |
| ·常用于多元氧化物薄膜的制备方法 | 第18-19页 |
| ·磁控溅射 | 第18页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第18-19页 |
| ·化学气相沉积 | 第19页 |
| ·电子束蒸发 | 第19页 |
| ·碳还原共蒸发法实验原理介绍 | 第19-21页 |
| ·实验装置介绍 | 第21-23页 |
| ·多源共蒸发系统的建立 | 第21-22页 |
| ·高温氧氛围退火炉 | 第22-23页 |
| ·薄膜的表征方法 | 第23-27页 |
| 第三章 In_2Ge_2O_7薄膜的制备与表征 | 第27-42页 |
| ·In_2Ge_2O_7薄膜的制备 | 第27-30页 |
| ·碳还原共蒸发镀膜 | 第27-29页 |
| ·退火 | 第29-30页 |
| ·退火工艺参数的优化 | 第30-35页 |
| ·退火之前的样品分析 | 第30-31页 |
| ·退火温度对薄膜质量的影响 | 第31-33页 |
| ·退火时间对薄膜质量的影响 | 第33-35页 |
| ·优化退火工艺参数下In_2Ge_2O_7薄膜的表征与分析 | 第35-41页 |
| ·X射线衍射分析(XRD) | 第35-36页 |
| ·扫描电镜分析(SEM) | 第36-37页 |
| ·反射率光谱分析 | 第37-38页 |
| ·X射线能量色散谱分析(EDS) | 第38-39页 |
| ·X射线光电子能谱分析(XPS) | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 基于In_2Ge_2O_7薄膜的紫外探测器制备及光敏特性研究 | 第42-52页 |
| ·MSM结构光导型紫外探测器的结构和工作原理 | 第42-45页 |
| ·器件结构 | 第42-43页 |
| ·器件工作原理 | 第43-45页 |
| ·MSM结构光导型探测器的主要参数 | 第45-46页 |
| ·光电响应度 | 第45页 |
| ·量子效率 | 第45-46页 |
| ·光电流 | 第46页 |
| ·暗电流 | 第46页 |
| ·响应时间 | 第46页 |
| ·基于In_2Ge_2O_7薄膜的紫外探测器的制备 | 第46-49页 |
| ·基于In_2Ge_2O_7薄膜的紫外探测器的测试 | 第49-51页 |
| ·I-V特性 | 第49-50页 |
| ·响应时间 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 主要结论与创新点 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第59页 |
