| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-16页 |
| ·氮化硅薄膜在MEMS技术中的应用 | 第9页 |
| ·氮化硅薄膜性能 | 第9-10页 |
| ·PECVD氮化硅薄膜研究意义 | 第10-12页 |
| ·PECVD氮化硅薄膜研究现状 | 第12-15页 |
| ·国内研究动态 | 第12-13页 |
| ·国外研究动态 | 第13-15页 |
| ·论文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 氮化硅薄膜制备技术 | 第16-26页 |
| ·等离子体 | 第16-18页 |
| ·等离子体产生 | 第16-17页 |
| ·等离子体的温度 | 第17-18页 |
| ·高密度等离子体(HDPCVD)法 | 第18页 |
| ·常压化学气相沉积(APCVD)法 | 第18页 |
| ·低压化学气相沉积(LPCVD)法 | 第18-19页 |
| ·光化学气相沉积(Photo-CVD)法 | 第19-20页 |
| ·甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)法 | 第20页 |
| ·微波电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(MWECR-PECVD)法 | 第20页 |
| ·等离子增强化学气相沉积(PECVD)法 | 第20-25页 |
| ·PECVD法原理 | 第20-23页 |
| ·PECVD工艺性能评价 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 PECVD氮化硅薄膜的制备及测试 | 第26-44页 |
| ·PECVD氮化硅薄膜样品的制备 | 第26-30页 |
| ·PECVD设备 | 第26-27页 |
| ·基片清洗 | 第27-28页 |
| ·PECVD氮化硅薄膜制备 | 第28页 |
| ·PECVD氮化硅薄膜电极结构制备 | 第28-29页 |
| ·真空蒸发设备 | 第28-29页 |
| ·电极制备 | 第29页 |
| ·PECVD氮化硅薄膜真空退火处理 | 第29-30页 |
| ·真空退火设备 | 第29-30页 |
| ·PECVD氮化硅薄膜真空退火 | 第30页 |
| ·参数测试 | 第30-43页 |
| ·傅立叶转换红外光谱测试 | 第30-33页 |
| ·密度测试 | 第33页 |
| ·残余应力测试 | 第33-35页 |
| ·介电常数测试 | 第35-37页 |
| ·阻抗分析仪 | 第35-37页 |
| ·介电常数测试 | 第37页 |
| ·薄膜厚度及折射率测试 | 第37-41页 |
| ·椭偏仪原理 | 第38-39页 |
| ·椭偏仪常用物理模型 | 第39-41页 |
| ·氢氟酸腐蚀速率测试 | 第41-42页 |
| ·表面形貌测试 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 PECVD工艺参数对氮化硅薄膜性能影响 | 第44-57页 |
| ·不同工艺参数对低频PECVD氮化硅薄膜性能的影响 | 第44-49页 |
| ·低频PECVD氮化硅薄膜折射率变化规律及分析 | 第44-45页 |
| ·低频PECVD氮化硅薄膜密度变化规律及分析 | 第45-46页 |
| ·低频PECVD氮化硅薄膜残余应力变化规律及分析 | 第46-47页 |
| ·低频PECVD氮化硅薄膜红外光谱分析 | 第47-49页 |
| ·不同工作气压下低频PECVD氮化硅薄膜红外光谱分析 | 第47-48页 |
| ·不同射频功率下低频PECVD氮化硅薄膜红外光谱分析 | 第48-49页 |
| ·不同工艺参数下低频PECVD氮化硅薄膜介电常数变化规律 | 第49-55页 |
| ·不同气体流量比对氮化硅薄膜介电常数的影响 | 第49-51页 |
| ·不同射频功率对氮化硅薄膜介电常数的影响 | 第51-52页 |
| ·不同工作气压对氮化硅薄膜介电常数的影响 | 第52-54页 |
| ·不同衬底温度对氮化硅薄膜介电常数的影响 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 真空退火对PECVD氮化硅薄膜性能的影响 | 第57-70页 |
| ·真空退火对不同气体流量比下PECVD氮化硅薄膜性能的影响 | 第57-61页 |
| ·真空退火后氮化硅薄膜折射率与厚度的变化结果分析 | 第57-60页 |
| ·真空退火后氮化硅薄膜在氢氟酸中腐蚀速率变化结果分析 | 第60-61页 |
| ·真空退火对不同衬底温度下低频PECVD氮化硅薄膜性能的影响 | 第61-66页 |
| ·真空退火后氮化硅薄膜折射率与厚度的变化结果分析 | 第61-65页 |
| ·真空退火后氮化硅薄膜在氢氟酸腐蚀速率变化结果分析 | 第65-66页 |
| ·真空退火对不同工作气压下低频PECVD氮化硅薄膜性能的影响 | 第66-68页 |
| ·真空退火对不同射频功率下低频PECVD氮化硅薄膜性能的影响 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 结论与展望 | 第70-72页 |
| ·结论 | 第70-71页 |
| ·展望 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第76页 |
