| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 ZnO概述 | 第10-21页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·ZnO基本性质 | 第10-11页 |
| ·ZnO能带结构 | 第11-13页 |
| ·ZnO形态 | 第13-18页 |
| ·ZnO薄膜 | 第14-15页 |
| ·ZnO单晶 | 第15-16页 |
| ·ZnO纳米 | 第16-18页 |
| ·ZnO的缺陷 | 第18-19页 |
| ·ZnO紫外光电应用 | 第19-20页 |
| ·本文的主要工作 | 第20-21页 |
| 第二章 ZnO薄膜的制备及表征 | 第21-30页 |
| ·ZnO薄膜制备方法 | 第21-26页 |
| ·金属有机化学气相沉积(MOCVD) | 第21-22页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第22-23页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第23-24页 |
| ·磁控溅射法(Magnetran Sputtering) | 第24-26页 |
| ·ZnO薄膜的表征 | 第26-30页 |
| ·X射线衍射谱(XRD) | 第27-28页 |
| ·扫描电镜(SEM) | 第28页 |
| ·X射线能谱(EDS) | 第28-29页 |
| ·紫外吸收和透射光谱(UV-Vis spectrum) | 第29-30页 |
| 第三章 ZnO掺S薄膜第一性原理的计算 | 第30-46页 |
| ·第一性原理的计算方法 | 第30-33页 |
| ·计算软件的原理 | 第30-31页 |
| ·密度泛函理论(DFT) | 第31-32页 |
| ·形成能和杂质浓度的计算 | 第32-33页 |
| ·计算结果及分析 | 第33-45页 |
| ·模型的建立 | 第33-36页 |
| ·S掺杂ZnO的研究 | 第36-38页 |
| ·掺杂体系的电子结构分析 | 第38-40页 |
| ·掺杂体系的导电性能分析 | 第40-43页 |
| ·ZnO_xS_(1-x)体系的计算 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 ZnO：ZnS薄膜的制备和相关性能测试 | 第46-64页 |
| ·实验设备及实验过程 | 第46-48页 |
| ·磁控溅射设备 | 第46页 |
| ·靶材及基片 | 第46-47页 |
| ·实验参数 | 第47-48页 |
| ·实验结果与讨论 | 第48-60页 |
| ·XRD测试分析 | 第48-49页 |
| ·EDS测试分析 | 第49-50页 |
| ·SEM测试分析 | 第50-51页 |
| ·紫外可见光谱分析 | 第51-53页 |
| ·Ⅰ-Ⅴ曲线分析 | 第53-55页 |
| ·光电导弛豫及其测试模型分析 | 第55-58页 |
| ·紫外光电响应分析 | 第58-60页 |
| ·退火对薄膜紫外光电性能影响 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 ZnO/ZnS异质结制备 | 第64-72页 |
| ·异质结模型分析 | 第64-66页 |
| ·ZnO/ZnS异质结制作参数 | 第66-67页 |
| ·异质结表征 | 第67-71页 |
| ·异质结的Ⅰ-Ⅴ曲线 | 第67-68页 |
| ·异质结的吸收谱和透射过谱 | 第68-69页 |
| ·紫外光电响应分析 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 结论与展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-79页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第79页 |