| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| ·GaN材料的发展 | 第10-11页 |
| ·GaN材料及其器件的应用 | 第11-13页 |
| ·GaN的晶体结构和性质 | 第13-14页 |
| ·GaN材料的制备方法 | 第14-18页 |
| ·GaN材料面临的问题 | 第18页 |
| ·本文研究的背景意义及主要研究内容 | 第18-20页 |
| 2 MOCVD生长系统及相关的表征技术 | 第20-30页 |
| ·MOCVD的基本理论 | 第20-23页 |
| ·MOCVD的组成 | 第20-21页 |
| ·MOCVD的基本原理 | 第21-23页 |
| ·国内外MOCVD的发展现状 | 第23页 |
| ·MOCVD反应器分类 | 第23-28页 |
| ·水平式反应器 | 第24-25页 |
| ·行星式反应器 | 第25页 |
| ·垂直式反应器 | 第25-26页 |
| ·高速转盘式反应器 | 第26页 |
| ·垂直喷淋式式反应器 | 第26-28页 |
| ·主要表征技术 | 第28-30页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第28页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第28-29页 |
| ·白光干涉 | 第29-30页 |
| 3 GaN薄膜中的缺陷及影响MOCVD生长GaN外延层质量的因素 | 第30-37页 |
| ·GaN薄膜中的缺陷 | 第30-32页 |
| ·GaN薄膜的缺陷类型 | 第30-31页 |
| ·GaN薄膜中的位错 | 第31-32页 |
| ·影响MOCVD生长GaN外延层质量的因素 | 第32-37页 |
| ·GaN衬底的选择 | 第32-34页 |
| ·缓冲层对GaN生长的影响 | 第34-35页 |
| ·氮化衬底对GaN生长的影响 | 第35-36页 |
| ·气压对GaN生长的影响 | 第36-37页 |
| 4 喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响 | 第37-45页 |
| ·MOCVD制备GaN外延层 | 第37-39页 |
| ·喷淋头高度对薄膜厚度均匀性的影响 | 第39-40页 |
| ·喷淋头高度对GaN外延层生长速率的影响 | 第40-41页 |
| ·喷淋头高度对GaN晶体质量的影响 | 第41-43页 |
| ·喷淋头高度对样品表面粗糙度的影响 | 第43-45页 |
| 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-51页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |