首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--材料论文--一般性问题论文

热处理对溶胶—凝胶旋涂法制备ITO薄膜性能的影响

摘要第1-5页
Abstract第5-7页
目录第7-9页
引言第9-11页
1 ITO薄膜材料概述第11-20页
   ·ITO薄膜的晶体结构和能带结构第11-13页
     ·ITO薄膜晶体结构第11-12页
     ·ITO薄膜的能带结构第12-13页
   ·ITO薄膜的光学原理和电学原理第13-15页
     ·ITO薄膜的电学原理第13-14页
     ·ITO薄膜的光学原理第14-15页
   ·ITO薄膜的应用第15-16页
     ·平面显示应用第15页
     ·电致变色窗第15页
     ·太阳能电池第15-16页
     ·微波屏蔽和防护镜第16页
     ·交通工具风挡第16页
     ·气敏元件第16页
   ·ITO薄膜的制备方法第16-20页
     ·磁控溅射法(Magnetron sputtering)第16-17页
     ·真空蒸发法(vacuum evaporation)第17页
     ·喷雾热分解(Spray pyrolysis)第17页
     ·化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)第17页
     ·脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition)第17-18页
     ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel Method)第18-20页
2 溶胶-凝胶法制备ITO薄膜的研究进展第20-34页
   ·退火对ITO薄膜性质的影响的研究进展第20-30页
     ·退火对ITO薄膜中Sn浓度的影响第20-21页
     ·退火对ITO薄膜质量、表面形貌的影响第21-25页
     ·退火对ITO薄膜导电性质的影响第25-29页
     ·退火对ITO薄膜透射性质的影响第29-30页
   ·制备ITO溶胶的方法第30-34页
3 本文的实验过程及表征方法第34-39页
   ·本文的实验过程第34-35页
   ·本文实验的注意事项第35-36页
   ·本文使用的表征方法第36-39页
     ·X射线衍射表征晶体结构(XRD)第36-37页
     ·扫描电子显微镜表征表面形态(SEM)第37页
     ·四探针法表征电阻率第37-38页
     ·紫外-可见分光光度计表征透射率第38-39页
4 退火温度对ITO薄膜的影响第39-45页
   ·XRD分析第39-40页
   ·SEM分析第40-42页
   ·透过率分析第42-43页
   ·电阻率分析第43-45页
5 退火时间间隔对ITO薄膜的影响第45-50页
   ·XRD分析第45-46页
   ·SEM分析第46-47页
   ·透过率分析第47-48页
   ·电阻率分析第48-50页
结论第50-51页
参考文献第51-56页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第56-57页
致谢第57-58页

论文共58页,点击 下载论文
上一篇:FFT与串行相关相结合的GPS捕获方法及FPGA实现
下一篇:大功率GaN基LED用SiC衬底刻蚀工艺研究