当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
ZnO薄膜及其光电子器件中的晶格失配与应力问题研究
磷掺杂p型ZnO光电特性及稳定性研究
半导体金属氧化物（ZnO，ZnSnO3）纳米材料的合成及其气敏性能研究
多孔硅微结构与应用研究
基于触媒原理的CVD金刚石薄膜抛光
硅基锗薄膜分子束外延生长与RHEED分析
Na相关掺杂及N掺杂p型ZnO薄膜的制备和性能研究
兼具低辐射和阳光控制功能的TiN节能薄膜的制备和性能研究
ZnO透明导电薄膜的制备及性能优化
铁基氧化物窄带隙半导体材料的制备及性能研究
过渡族元素掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的生长及其性能研究
快速热处理对掺锗直拉单晶硅的影响
MOCVD法氧化锌薄膜材料生长
液相外延生长GaAs微探尖的质量改进
SiC晶圆等离子体清洗技术的研究
有机功能半导体材料的设计合成与性能研究
CdHgTe红外半导体材料电子结构的紧束缚模拟
SiO2/SiC界面悬挂键及其钝化的第一原理研究
玻璃衬底上GaN和InN制备的研究
金属/SiC接触界面的氢等离子体改性研究
ZnO纳米棒状结构制备及其光电器件研究
基于飞秒激光二次谐波产生技术探测硅表面双轴应变的研究
p型ZnO的高压制备及其性能表征
立方氮化硼紫外光电效应的研究
脉冲激光沉积法制备铟掺杂氧化镉薄膜及其光电性能研究
半导体材料的飞秒激光微纳加工
Be掺杂ZnO的电学、光学性质及ZnO复合缺陷研究
ZnS薄膜与镶嵌在Si3N4薄膜中的Ge纳米晶的制备及特性研究
溶剂热法合成ZnSe晶体的研究
Cr、Fe掺杂ZnO以及Fe、Cu共掺ZnO稀磁半导体的研究
注氧隔离SOI材料的抗总剂量辐照加固
SnO2基半导体材料的电子结构和光学性质研究
掺铟二氧化锡薄膜（ITO）的制备及其性质研究
铁酸镥铁电材料的合成、微结构及性质研究
Fe、Co共掺杂TiO2稀磁半导体性能研究
汞探针CV测试仪测量硅重掺衬底外延层电阻率的准确性和稳定性
等离子体浸没注入技术对半导体材料的改性研究
新型ZnO基透明导电氧化物薄膜的研究
Si（110）衬底上镍硅化物形成研究
MOCVD技术与GaN材料外延工艺
基于嵌入式的晶体生长控径系统的研究
GaAs材料光电性质第一性原理研究
应变SOI材料物理与工艺技术研究
重掺砷硅中磷杂质的SIMS定量测试方法研究
图形衬底上GaN材料的外延生长研究
斜切衬底上AlGaN/GaN异质结材料及n型GaN材料特性研究
应变Si载流子散射机制及特性研究
4H-SiC外延材料缺陷的检测与分析
基于FTIR技术的4H-SiC同质外延材料的测试
离子注入对4H-SiC MOS界面特性影响的研究
上一页
[57]
[58]
[59]
[60]
[61]
下一页
