应变SOI材料物理与工艺技术研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·应变SOI 的研究现状 | 第8-9页 |
| ·论文的主要研究工作 | 第9-11页 |
| 第二章 应变SOI 基本理论 | 第11-23页 |
| ·应变Si 能带结构 | 第11-12页 |
| ·应变Si 导带结构 | 第11-12页 |
| ·应变Si 价带结构 | 第12页 |
| ·应变Si 载流子有效质量 | 第12-14页 |
| ·应变Si 载流子迁移率增强机理 | 第14-17页 |
| ·电子迁移率增强机理 | 第14-16页 |
| ·空穴迁移率增强机理 | 第16-17页 |
| ·应变SOI 材料特性 | 第17-23页 |
| 第三章 应变SOI 工艺技术研究 | 第23-39页 |
| ·SOI 工艺技术 | 第23-26页 |
| ·SIMOX 技术 | 第24页 |
| ·BESOI 技术 | 第24-25页 |
| ·Smart-Cut 技术 | 第25-26页 |
| ·Smart-Cut 工艺关键技术 | 第26-35页 |
| ·低温直接键合 | 第26-33页 |
| ·氢离子注入 | 第33-34页 |
| ·智能剥离 | 第34-35页 |
| ·应变SOI 工艺技术 | 第35-39页 |
| ·绝缘体上锗硅 | 第35-37页 |
| ·绝缘体上应变硅 | 第37-39页 |
| 第四章 晶圆级单轴应变SOI 技术研究 | 第39-47页 |
| ·晶圆级单轴应变SOI 原理 | 第40-41页 |
| ·工艺实验研究 | 第41-45页 |
| ·实验结果分析 | 第45-47页 |
| 第五章 应变SOI 材料特性表征 | 第47-55页 |
| ·Raman 光谱分析 | 第48-50页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第50-52页 |
| ·常规X 射线衍射 | 第50-51页 |
| ·高分辨率X 射线衍射法 | 第51-52页 |
| ·原子力显微镜 | 第52-53页 |
| ·透射电子显微镜 | 第53-54页 |
| ·二次离子质谱仪 | 第54-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 在研期间参与的项目和研究成果 | 第63-64页 |
