| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·GaN 基材料的特性和优势 | 第11-14页 |
| ·GaN 基材料及其器件的研究进展和本文的研究意义 | 第14-19页 |
| ·GaN 材料的研究与发展 | 第14页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料及其器件的研究发展 | 第14-16页 |
| ·GaN 基发光二极管的研究与发展 | 第16-17页 |
| ·本文的研究意义 | 第17-19页 |
| ·本文的工作和安排 | 第19-21页 |
| 第二章 GaN 材料生长工艺及表征技术 | 第21-39页 |
| ·GaN 晶体材料生长工艺 | 第21-25页 |
| ·GaN 体晶材料生长技术 | 第21-22页 |
| ·GaN 材料外延生长技术 | 第22-25页 |
| ·MOCVD 外延技术 | 第25-29页 |
| ·MOCVD 技术简介 | 第25-26页 |
| ·MOCVD 系统组成 | 第26-28页 |
| ·西安电子科技大学自主研制的MOCVD 系统 | 第28-29页 |
| ·蓝宝石衬底上GaN 材料的生长 | 第29-32页 |
| ·MOCVD 技术生长GaN 材料的物化机理 | 第30-31页 |
| ·MOCVD 技术生长GaN 的工艺流程 | 第31-32页 |
| ·GaN 基材料表征技术 | 第32-36页 |
| ·本章小结 | 第36-39页 |
| 第三章 斜切蓝宝石衬底上 AlGaN/GaN 异质结材料的研究 | 第39-55页 |
| ·引言 | 第39-40页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料的基本理论 | 第40-42页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的导带断续 | 第40-41页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结2DEG 的形成 | 第41-42页 |
| ·采用低温AlN 成核层的斜切衬底上AlGaN/GaN 异质结特性研究 | 第42-47页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料的生长 | 第42-43页 |
| ·样品的XRD 和AFM 研究 | 第43-45页 |
| ·样品的电学特性研究 | 第45-47页 |
| ·采用高温AlN 成核层的斜切衬底上AlGaN/GaN 异质结特性研究 | 第47-53页 |
| ·实验样品的生长 | 第47-48页 |
| ·样品的XRD 和AFM 研究 | 第48-51页 |
| ·样品的电学特性研究 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 n 型 Si 掺杂 GaN 材料的特性研究 | 第55-67页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·n 型 GaN 材料的生长 | 第55-57页 |
| ·n 型 GaN 材料的应力特性研究 | 第57-61页 |
| ·n 型 GaN 材料的 XRD 研究 | 第57-59页 |
| ·n 型 GaN 材料的拉曼研究 | 第59-61页 |
| ·n 型 GaN 材料中应力特性的讨论 | 第61页 |
| ·n 型 GaN 材料的光电特性研究 | 第61-65页 |
| ·n 型 GaN 材料的电学特性 | 第61-63页 |
| ·n 型 GaN 材料的光学特性 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 结束语 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第81-83页 |
